Un fondo cotizado de chips de memoria subió un 134% en lo que va del año hasta el 4 de junio de 2026, superando a los fondos centrados en Nvidia a medida que los inversores rotaron hacia fabricantes de semiconductores de memoria.
Un fondo cotizado de chips de memoria subió un 134% en lo que va del año hasta el 4 de junio de 2026, superando a los fondos centrados en Nvidia a medida que los inversores rotaron hacia fabricantes de semiconductores de memoria.

Un fondo cotizado de chips de memoria subió un 134% en lo que va del año hasta el 4 de junio de 2026, superando a los fondos centrados en Nvidia a medida que los inversores rotaron hacia fabricantes de semiconductores de memoria.
El repunte del 134% en un ETF de chips de memoria marca una de las rotaciones sectoriales más grandes de 2026, mientras los inversores se desplazan de Nvidia hacia fabricantes de memoria como Samsung Electronics y SK Hynix. El fondo ha más que duplicado el Índice de Semiconductores de Filadelfia en el mismo período.
La rotación refleja un cambio estructural en el gasto en infraestructura de IA. Cada nueva generación de GPU de IA requiere más memoria de alto ancho de banda, transformando la memoria de un producto cíclico a un cuello de botella estratégico para la expansión de centros de datos. La HBM —un tipo especializado de DRAM apilada verticalmente para maximizar el ancho de banda— se ha convertido en uno de los componentes más restringidos en la cadena de suministro de IA, con los proveedores compitiendo por aumentar la capacidad de producción.
Las principales participaciones del ETF de chips de memoria incluyen a Samsung Electronics, SK Hynix y Micron Technology, todas beneficiarias de la creciente demanda de HBM utilizada en centros de datos de IA. Samsung y SK Hynix juntas representan aproximadamente el 4% de algunos ETF internacionales amplios, según revelaciones de los fondos. Los dos gigantes surcoreanos de la memoria se encuentran entre las posiciones más grandes del Vanguard FTSE Developed Markets ETF, con Samsung en un 2.26% y SK Hynix en un 1.54% del fondo de 304 mil millones de dólares.
Las acciones internacionales protagonizaron un amplio repunte en 2025, con el Vanguard FTSE Developed Markets ETF rindiendo un 33.40% en el año hasta el 1 de junio de 2026, y el iShares Core MSCI Total International Stock ETF rindiendo un 33.20%. El rendimiento del 134% del ETF de chips de memoria ha superado drásticamente a esos fondos internacionales amplios, destacando la naturaleza concentrada del repunte de semiconductores.
Qué Significa Esto para los Inversores
Para los inversores, el rendimiento del 134% señala que la apuesta por la IA se está ampliando más allá de los fabricantes de GPU. Si bien Nvidia sigue siendo el proveedor dominante de chips de IA, las valoraciones de los chips de memoria ofrecen un perfil de riesgo-recompensa diferente. Los tres proveedores de HBM —Samsung, SK Hynix y Micron— se benefician a medida que los hiperescaladores expanden clústeres de IA y crece la demanda de memoria de alto ancho de banda.
La rotación también conlleva riesgos. Los precios de la memoria son históricamente cíclicos, y una desaceleración de la demanda o un exceso de capacidad podrían revertir rápidamente las ganancias. La ganancia del 134% en lo que va del año del ETF de chips de memoria significa que ya ha descontado gran parte del optimismo por la demanda de HBM, dejando menos margen para subidas si la oferta alcanza a la demanda más rápido de lo esperado.
Aun así, con el gasto de capital en centros de datos por parte de los principales proveedores de nube continuando en aumento, el piso de demanda para HBM y otras memorias avanzadas parece estructuralmente más alto que en ciclos anteriores. El rendimiento del ETF de chips de memoria sugiere que los inversores miran cada vez más más allá de Nvidia para obtener retornos relacionados con la IA, una tendencia que podría persistir a medida que la construcción de infraestructura de IA continúa hasta 2026 y 2027.
Este artículo es solo con fines informativos y no constituye asesoramiento de inversión.