onsemi lanza el portafolio GaNEXUS de nitruro de galio dirigido al mercado de chips de potencia de 9 mil millones de dólares

El nuevo portafolio GaNEXUS de nitruro de galio de onsemi reduce los componentes magnéticos hasta en un 60 por ciento y aumenta la densidad de potencia hasta 2 veces en comparación con las soluciones convencionales de silicio, apuntando a un mercado de chips de nitruro de galio que los analistas proyectan superará los 9 mil millones de dólares para 2030.

"GaNEXUS está habilitando nuevas arquitecturas para el diseño de sistemas de potencia", dijo Antoine Jalabert, vicepresidente de la división GaN de onsemi. "A medida que los clientes exigen más potencia en menos espacio, brinda a los ingenieros una mayor flexibilidad para superar las limitaciones que han restringido las arquitecturas de potencia convencionales."

La línea inicial incluye FETs GaNEXUS que abarcan desde 40 voltios hasta 650 voltios, además de dispositivos GaNEXUS Smart de 650 V con funciones de protección integradas que simplifican la integración del sistema. En sistemas de baja y media tensión, como convertidores de bus intermedio de 48 voltios para servidores de IA y unidades de respaldo de batería, el portafolio ofrece componentes magnéticos entre un 30 % y un 60 % más pequeños, una densidad de potencia de 1,5 a 2 veces mayor, y ganancias de eficiencia del 0,5 % al 2 % según la topología. Para aplicaciones de mayor tensión, como estantes de potencia para IA y etapas de corrección del factor de potencia, onsemi afirma una reducción de componentes magnéticos de hasta un 60 % y mejoras de eficiencia del 0,5 % al 1 % que se acumulan de manera significativa a escala de centros de datos.

El lanzamiento se produce en un momento en que se proyecta que los centros de datos de IA consumirán hasta el 9 por ciento de la generación eléctrica de EE. UU. para 2030, y que los costos de energía y refrigeración representarán hasta el 40 por ciento de los gastos operativos totales de los centros de datos, según estimaciones de la industria citadas por onsemi. Cada punto porcentual de ganancia de eficiencia en una instalación de 100 megavatios puede traducirse en aproximadamente 1 millón de dólares en ahorros anuales de electricidad, lo que hace que las ventajas en velocidad de conmutación de GaN sean económicamente significativas a escala hiperescalar.

Los dispositivos GaNEXUS utilizan encapsulados térmicamente mejorados con huellas estándar de la industria — TOLL Bottom Cooling, TOLT Top Cooling y opciones de doble refrigeración de 3,3 milímetros por 3,3 milímetros y 5 milímetros por 6 milímetros — para admitir doble fuente de suministro. Cuando se combinan con la plataforma Treo de onsemi para detección, control y gestión de potencia integrados, el portafolio permite soluciones completas de potencia a nivel de sistema que reducen la complejidad del diseño y aceleran los plazos de calificación.

El panorama competitivo se intensifica

onsemi ingresa a un mercado de nitruro de galio ya poblado por actores establecidos. Navitas Semiconductor, el líder de la industria en CI de potencia GaN, anunció el 8 de junio su propio encapsulado UHV-TO-247-4-ISO para MOSFETs de carburo de silicio de 1.200 a 3.300 voltios, dirigido a la conversión de potencia conectada a la red y al almacenamiento de energía en baterías. Navitas afirma que su nuevo encapsulado ofrece rendimiento similar al de un módulo en un factor de forma discreto, eliminando la necesidad de aislamiento externo de alta tensión.

Infineon Technologies y Texas Instruments también han invertido fuertemente en GaN, con el portafolio CoolGaN de Infineon que abarca rangos de tensión similares. La presión competitiva se extiende hasta el nivel de las fundiciones: TSMC, que fabrica obleas de GaN sobre silicio para múltiples empresas de chips, ha ampliado su oferta de procesos GaN a medida que la demanda de los centros de datos y los clientes automotrices se acelera.

Las instituciones de investigación están llevando la tecnología más allá. Fraunhofer IAF demostró recientemente un módulo de potencia basado en GaN para sistemas de carga bidireccional en CC de 800 voltios, logrando 3 kilovatios de potencia en un cargador externo de 8,3 litros y 5,7 kilogramos. El proyecto, denominado GaN4EmoBiL, destaca el potencial del GaN en la infraestructura de carga de vehículos eléctricos, donde la eficiencia y la compacidad afectan directamente los costos de adopción.

Perspectiva de inversión

Las acciones de onsemi cotizan a aproximadamente 22 veces las ganancias futuras, un descuento frente al promedio de 28 veces del Índice de Semiconductores de Filadelfia, lo que refleja la cautela de los inversores sobre la exposición de la compañía a los mercados automotriz e industrial. El lanzamiento de GaNEXUS diversifica los ingresos de onsemi hacia la entrega de potencia para centros de datos de IA, un segmento de crecimiento más rápido, donde la empresa ya compite con su portafolio EliteSiC de carburo de silicio. Si GaNEXUS captura incluso un 5 por ciento del proyectado mercado de potencia GaN de 9 mil millones de dólares para 2030, representaría aproximadamente 450 millones de dólares en ingresos incrementales, equivalente a cerca del 4 por ciento de las ventas de los últimos doce meses de onsemi. La compañía no reveló precios ni clientes iniciales para GaNEXUS.

Este artículo es solo con fines informativos y no constituye asesoramiento de inversión.