Points clés à retenir :
La transition vers une architecture électrique haute tension dans les datacenters d'IA crée une division de marché claire pour les semi-conducteurs composites : le carbure de silicium côté infrastructure, le nitrure de gallium à l'intérieur des baies, selon un rapport de recherche de China International Capital Corp. publié fin juin.
"L'architecture haute tension est la direction confirmée pour les systèmes d'alimentation des datacenters alors que le calcul IA évolue vers une densité plus élevée, un fonctionnement continu en pleine charge et de fortes contraintes transitoires", ont écrit les analystes de CICC dans le rapport, qui identifie 2026 comme l'année de déploiement de la nouvelle topologie d'alimentation. La banque s'attend à ce que le SiC domine la conversion de puissance côté infrastructure (gray area) — incluant les transformateurs à semi-conducteurs, les unités d'alimentation et les systèmes de stockage d'énergie — tandis que le GaN pénétrera les applications côté baies (white area) telles que la conversion de bus intermédiaire et la gestion de l'alimentation des processeurs.
L'opportunité de marché est considérable. Infineon Technologies AG, que Gartner a identifié dans un rapport de mai 2026 comme "l'entreprise à battre" dans les semi-conducteurs d'alimentation pour datacenters IA, projette 2,5 milliards d'euros de revenus sur le marché de l'IA pour son exercice 2027. Le portefeuille "grid-to-core" du fabricant allemand de puces couvre chaque étape de conversion, des transformateurs à semi-conducteurs à la gestion de l'alimentation au niveau du processeur, en utilisant le SiC pour la conversion haute tension du réseau vers la baie et le GaN pour les étages intermédiaires à haute fréquence.
Le calendrier coïncide avec une demande d'électricité en forte hausse. Répondre à la croissance attendue de la demande américaine d'ici 2030 avec une approche fortement basée sur les combustibles fossiles ajouterait 30 milliards de dollars par an aux factures des clients, selon les modélisations d'Energy Innovation. Une voie accélérée vers l'énergie propre — incluant les gains d'efficacité des semi-conducteurs à large bande interdite — réduirait ce coût de 5,1 milliards de dollars par an, soit une économie de 17 %. Dans un scénario de hausse des prix des carburants, les économies atteindraient 8,4 milliards de dollars.
SiC et GaN se taillent des rôles distincts
Le cadre d'analyse de CICC trace une frontière nette au niveau de l'agencement physique du datacenter. Les dispositifs en SiC, conçus pour les applications haute tension et haute température, sont les mieux adaptés au côté infrastructure où l'énergie pénètre dans le bâtiment à 800 VCC ou plus et doit être convertie efficacement. Le GaN, avec sa capacité à commuter à des fréquences plus élevées dans des facteurs de forme plus petits, s'intègre à l'intérieur des baies où l'espace est limité et les exigences de densité de puissance sont extrêmes.
Cela reflète la trajectoire plus large du marché. Le marché mondial des contrôleurs d'alimentation numériques devrait croître à un taux de croissance annuel composé de 7 % à 9 % de 2026 à 2035, selon IndexBox, porté par l'électrification des datacenters et l'adoption des semi-conducteurs à large bande interdite. Les semi-conducteurs à large bande interdite devraient passer d'environ 15 % des unités de contrôleurs d'alimentation numériques en 2026 à près de 30 % d'ici 2035.
Navitas Semiconductor, un spécialiste fabless des circuits intégrés de puissance en GaN basé à El Segundo, en Californie, est l'un des bénéficiaires directs. Ses circuits intégrés de puissance GaNFast intègrent transistors, pilotes et protection dans des solutions monopuce destinées aux alimentations de datacenters, entre autres applications. Infineon, Texas Instruments et STMicroelectronics investissent également massivement dans les contrôleurs d'alimentation numériques intégrant des capacités GaN et SiC.
Implications pour les investisseurs
Pour les investisseurs, la thèse de CICC fournit un cadre thématique pour la rotation sectorielle vers les valeurs des semi-conducteurs composites. Infineon se positionne comme un leader des semi-conducteurs de puissance à large spectre avec une exposition à l'ensemble de la chaîne d'alimentation IA. Navitas et d'autres spécialistes du GaN offrent une exposition pure à l'opportunité au niveau des baies, tandis que Wolfspeed Inc. et ON Semiconductor Corp. sont positionnés sur le SiC pour les applications côté infrastructure.
Le risque clé réside dans l'exécution. La construction de nouvelles capacités de production se heurte à des obstacles, notamment les chaînes d'approvisionnement en transformateurs et en appareillage de commutation, les retards d'autorisation et l'opposition locale. Environ la moitié des datacenters prévus pour 2026 ont été retardés ou annulés, selon des rapports du secteur, en partie à cause de ces goulots d'étranglement. Si la croissance de la demande ralentit, la voie de l'énergie propre permet tout de même d'économiser 2,6 milliards de dollars par an par rapport aux combustibles fossiles, même si seulement 33 % de la demande prévue se matérialise, selon les modélisations d'Energy Innovation.
Le cadrage "SiC à gauche, GaN à droite" du rapport de CICC donne aux investisseurs une carte claire des entreprises qui bénéficient de chaque couche de la pile d'alimentation des datacenters — et 2026 marque l'année où la transition architecturale commence véritablement.
Cet article est fourni à titre d'information uniquement et ne constitue pas un conseil en investissement.
