主な要点：
- Roundhill Memory ETF（DRAM）は、わずか36日間で運用資産残高65億ドルに達し、史上最速でこの節目を達成したETFとなりました。
- 1日で13%の価格上昇を含む同ファンドの成長は、「メモリ・スーパーサイクル」とAI関連チップ銘柄に対する投資家の旺盛な需要に支えられています。
- この記録的な資金流入は、現物ビットコインETFであるIBITが設定した以前の記録を塗り替えており、半導体セクターに対する強い強気姿勢を示しています。
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DRAM ETF、36日間で65億ドルに到達し史上最速記録を更新
Roundhill Memory ETF（DRAM）は、人工知能産業に不可欠なメモリチップメーカーに対する投資家の旺盛な需要を背景に、わずか36日間で65億ドル以上の資産を蓄積し、これまでの資金流入記録を塗り替えました。
BloombergのシニアETFアナリストであるエリック・バルチュナス氏は、SNSへの投稿で「DRAM ETFの成長は爆発的であり、現物ビットコインファンドを含むこれまでのあらゆるETFよりも早く65億ドルの大台に到達した」と述べています。
同ファンドの資産は、1日で13%の価格上昇に加え、先週金曜日に約10億ドルの新規資金が流入したことで急増しました。この急速な蓄積ペースは、以前の記録保持者であった現物ビットコインETF「IBIT」を上回っています。このラリーは、AIアプリケーションの駆動に不可欠なマイクロンやSKハイニックスなどの企業が製造する広帯域メモリ（HBM）チップの需要が急増しているという、より広範な「メモリ・スーパーサイクル」を反映しています。
テーマ型ETFに対するこの前例のない需要は、投資家の注目が単なる主要なGPUメーカーを超えて、半導体サプライチェーン全体へと大きくシフトしていることを強調しています。DRAMの成功は、より特定の分野に特化した新しいテーマ型ファンドの波を引き起こす可能性があり、AI構築が進むにつれてメモリセクターへのさらなる資本流入を促し、バリュエーションを押し上げる可能性があります。
この記事は情報提供のみを目的としており、投資アドバイスを構成するものではありません。
