ウォルフスピード、GaN・SiC技術紛争でナビタスを特許侵害で提訴（5件の特許）

ウォルフスピードは、窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）技術をカバーする5件の特許を巡り、ナビタス・セミコンダクターを提訴した。これにより、80億ドルのワイドバンドギャップ半導体市場における法的争いが激化している。

「ウォルフスピードの基礎技術はこの産業の創出に貢献した。当社は、数十年にわたる革新と研究開発投資の結晶である知的財産を断固として守る決意だ」と、ウォルフスピードの最高経営責任者（CEO）ロバート・フォイル氏は述べた。

7月7日に米デラウェア地区連邦地裁に提起された同訴訟は、ナビタスのGaNFast、GaNSlim、GaNSafeの窒化ガリウムFET、ならびにGeneSiC MOSFETおよびSiCPAKモジュールを対象としている。主張されている5件の特許（米国特許第8,169,005号、第10,998,418号、第10,886,396号、第10,749,443号、第11,888,392号）は、ワイドバンドギャップ半導体の設計および製造における基本的な側面をカバーしている。

ノースカロライナ州ダーラムに本拠を置く炭化ケイ素材料およびGaNトランジスタのパイオニアであるウォルフスピードは、数十年にわたる研究開発を経て特許ポートフォリオを構築してきた。同社は、次世代のSiCおよびGaN技術に投資する中で、知的財産の保護を戦略的優先事項と位置付けている。同分野の競合であるナビタスは、ウォルフスピードが差止命令を取得した場合、中核製品ラインに混乱が生じる可能性に直面している。

本件は、ワイドバンドギャップ半導体を巡る競争の激化を浮き彫りにしている。これらの半導体は、電気自動車、データセンター、再生可能エネルギー用インバーターなどの電力アプリケーションにおいて、従来のシリコンよりも優れた効率を提供する。ウォルフスピードはSiC分野でインフィニオン・テクノロジーズ、STマイクロエレクトロニクス、オン・セミコンダクターと競合する一方、ナビタスは急速充電および電力変換向けのGaNに注力している。大手ファウンドリであるTSMCは両社のチップを製造しており、訴訟によってナビタスの製造へのアクセスが制限された場合、サプライチェーンに複雑な問題が生じる可能性がある。

ウォルフスピードの株価はこの日8.8％下落し、ナビタスも8.1％下落した。ウォルフスピードは最近の下落にもかかわらず、過去6カ月で101％上昇しており、ワイドバンドギャップ市場における同社のポジションに対する投資家の楽観的な見方を反映している。本件は、サプライヤー間の乗り換えコストが依然として高い市場において、長期的な供給契約を検討するナビタスの顧客にとって不確実性を増すものとなっている。

本記事は情報提供のみを目的としており、投資助言を構成するものではない。