Edgen Stock·Oct 30 2025, 11:20onsemi (ON) は、電力密度、効率、堅牢性において大きな進歩を示す垂直窒化ガリウム (vGaN) パワー半導体を発表しました。この技術は、AIデータセンター、電気自動車、再生可能エネルギーなどの高エネルギーアプリケーションに利益をもたらし、エネルギー損失と物理的なフットプリントを大幅に削減することが期待されています。
2025年10月30日、onsemi (ON) は垂直窒化ガリウム (vGaN) パワー半導体の導入を発表し、エネルギー集約型アプリケーションの分野における重要な技術的飛躍を示しました。この開発は、さまざまな高成長分野における電力密度、効率、堅牢性のベンチマークを再定義すると期待されています。
onsemi が新たに発表した vGaN パワー半導体は、電流が化合物半導体を垂直に流れることを可能にする独自の GaN-on-GaN 技術を特徴としています。このアーキテクチャにより、従来のソリューションと比較して、著しく高い動作電圧と速いスイッチング周波数が実現されます。ニューヨーク州シラキュースにある onsemi の施設で開発・製造されたこの技術は、基礎的なプロセス、デバイス設計、製造、システム革新を網羅する130件以上のグローバル特許の広範なポートフォリオによって支えられています。
この vGaN 設計の主な利点には、強化された電力密度、優れた熱安定性、および過酷な条件下での堅牢な性能が含まれます。同社は、この革新によりエネルギー損失をほぼ 50% 削減でき、実質的に小型で軽量なシステムの作成が可能になると報告しています。たとえば、vGaN デバイスは、市販されている横型 GaN コンポーネントよりも約 3 倍小さくなります。onsemi は現在、早期アクセス顧客向けに 700V および 1,200V のデバイスをサンプリングしています。
onsemi の vGaN 技術の導入は、パワー半導体市場における注目すべき出来事であり、差し迫った業界の要求に対処する可能性に対して強気な感情を呼び起こしています。vGaN がよりコンパクトなフットプリントでより高い電圧とより大きな電流を処理できる能力は、AIデータセンター、電気自動車 (EV)、再生可能エネルギーインフラ、航空宇宙、防衛、セキュリティなど、急速な拡大と電力要件の増加を経験している分野にとって特に魅力的です。より高速なスイッチングと高い効率を可能にすることで、onsemi の vGaN は、エネルギー消費の課題を軽減し、これらの重要な分野でよりコンパクトで高性能な設計を促進する立場にあります。この技術的進歩は、onsemi が高度な電力ソリューションにおいて主導的な地位を獲得するための戦略的な動きを示唆しています。
onsemi からのこの開発は、より広範な窒化ガリウム市場が採用を拡大している中で行われています。GaN はより多くのアプリケーションに浸透し、エネルギー効率を向上させるために徐々にシリコンを置き換えています。vGaN 技術がもたらすエネルギー損失の劇的な削減（ほぼ 50%）と部品サイズの著しい縮小は、メーカーにとって魅力的な価値提案を表します。より高い周波数で動作することで、この技術はコンデンサやインダクタなどのサポート部品の小型化も可能にし、システム全体のコンパクトさとコスト効率にさらに貢献します。
onsemi の垂直 GaN 半導体の商業化と広範な採用の成功は、主要な成長市場における同社の競争優位性を強固なものにする可能性があります。AI の進歩と電化への移行によって世界のエネルギー需要がエスカレートし続けるにつれて、vGaN のような高効率でコンパクトな電力ソリューションはますます重要になるでしょう。今後の開発は、onsemi がいかに迅速に生産を拡大し、これらのデバイスを主流アプリケーションに統合できるかに焦点を当てる可能性があり、これにより、ターゲット産業における次世代電子システムの設計パラダイムとエネルギー消費プロファイルに影響を与える可能性があります。