주요 요점:
삼성전자가 900단 V-NAND 프로토타입을 성공적으로 개발했습니다. 이는 치열한 글로벌 메모리 시장에서 삼성의 지배력을 재확립할 수 있는 기술적 도약입니다. 회사 측은 이 프로토타입이 사상 최고층을 달성하기 위해 새로운 본딩 기술을 사용했으며, 이를 통해 경쟁사의 공세에 대응하고 인공지능(AI) 분야의 폭발적인 수요를 충족할 준비를 갖췄다고 확인했습니다.
업계 소식통은 한국의 전자신문(ETNews)에 이번 성과가 글로벌 고객들에게 삼성이 여전히 기술 리더임을 보여주는 것이라고 전했습니다. 현재 321단 제품으로 시장을 선도하고 있는 SK하이닉스와의 격차를 좁히기 위해 삼성전자가 400단 이상의 10세대 V-NAND(V10) 양산을 준비하고 있는 시점에서 이번 개발은 매우 중요합니다.
삼성의 900단 프로토타입은 두 개의 별도 450단 셀 웨이퍼를 하나의 기능 단위로 접합하는 '셀 멀티 본딩(CMB)' 기술에 기반합니다. 이 방식은 층수가 높아질수록 웨이퍼 휨(warpage)과 같은 물리적 한계가 심각해지는 업계의 전통적인 싱글 스태킹 방식에서 근본적으로 전환한 것입니다. 삼성은 새로운 고정밀 '어퍼 척(Upper Chuck)' 설계와 독자적인 '오버레이 보정(Overlay Correction)' 기술을 통해 완벽한 정렬을 구현함으로써 이러한 문제를 해결했다고 확인했습니다.
이러한 돌파구는 NAND 플래시 시장의 중대한 시점에 마련되었습니다. AI 인프라 구축으로 인해 대용량 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)에 대한 전례 없는 수요가 발생하고 있으며, 트렌드포스는 2026년 1분기에만 가격이 85~90% 급등할 것으로 전망하고 있습니다. 삼성이 고밀도 칩을 먼저 인도할 수 있는 능력은 차세대 AI 서버의 수익성 높은 설계를 선점하는 계기가 될 수 있습니다.
싱글 스택 식각에서 멀티 웨이퍼 본딩으로의 전환은 NAND 제조의 중요한 진화입니다. 수년 동안 제조업체들은 메모리 셀을 수직으로 쌓아 왔으며, 층수가 높을수록 칩당 저장 용량이 커지고 전력 효율이 개선되었습니다. 그러나 한 번에 수백 개 층을 통해 미세 채널을 식각하면 실리콘 웨이퍼가 물리적으로 휘어지는 응력이 발생하여 수율을 떨어뜨립니다.
다루기 쉬운 두 개의 450단 스택을 제조한 후 본딩함으로써 삼성은 2030년을 목표로 하는 1,000단 NAND를 향한 실행 가능한 경로를 만들었습니다. 회사는 900단 프로토타입에서 정상적인 셀 작동을 검증하여 기술이 이론적 입증을 넘어 기능적임을 확인했습니다.
900단 프로토타입이 삼성에 장기적인 로드맵을 제공하는 한편, 당장의 승부처는 10세대 양산입니다. 일본의 키옥시아는 332단 'BiCS10' NAND를 2026 회계연도(2026년 4월~2027년 3월)의 최우선 과제로 지정했습니다. 한편 SK하이닉스는 2027년 초에 자체 300단 이상 칩의 전격 생산을 목표로 하고 있습니다.
약 430단으로 예상되는 삼성의 10세대 V10 NAND는 양산 일정이 지연되었습니다. 업계 소식통에 따르면 당초 2025년을 목표로 했으나 대규모 투자는 최소 2026년 상반기까지는 이뤄지지 않을 전망입니다. 지연 원인으로는 초고층 스택 식각의 가파른 기술적 과제와 AI 가속기용으로 마진이 높은 HBM 메모리 생산에 대한 전략적 집중이 꼽힙니다. 이로 인해 YMTC와 같은 중국 기업들이 300단에 가까운 제품으로 기술 격차를 좁히고 있음에도 불구하고 경쟁사들에게 기회의 창이 열렸습니다.
성공적인 900단 테스트는 삼성에 강력한 마케팅 도구이자 중요한 기술적 헤지 수단을 제공합니다. 이는 경쟁사들이 300~400단 세대에서 싸우는 동안 삼성은 이미 그 다음 세대를 위한 토대를 구축하고 있음을 시장에 알리는 신호이며, 장기적으로 경쟁사들에게 더 높은 기술 장벽을 만들 가능성이 있습니다.
이 기사는 정보 제공만을 목적으로 하며 투자 조언을 구성하지 않습니다.
