AI需求推動記憶體超級週期 美光晶片短缺恐延續至2028年

記憶體供應將至少緊繃至2028年，延續這一波已在一年內拉抬美光營收近5倍的定價週期。

美光科技執行長梅羅特拉上月向分析師表示，該公司的記憶體晶片將至少短缺至2028年，原因是AI基礎設施需求消耗晶圓廠產能的速度，遠超過業界興建新廠的腳步。

梅羅特拉在該公司6月24日的財報電話會議上表示：「需求持續大幅超過產業供應，我們預期這種緊繃狀態將持續至2027年之後。」

以任何歷史標準來看，支持這項預測的業績表現都極為亮眼。美光第三財季營收達415億美元，較去年同期增長約4.5倍，並較市場共識的350億美元高出18.6%。每股盈餘25.11美元，超越市場預估的20.20美元，淨利潤達282億美元。營業利潤率從去年同期的20%擴大至68%。該公司預測本季營收約為500億美元，遠高於去年同期的113億美元。

供應緊縮的根源在於結構性失衡。美光、三星電子和SK海力士三家公司控制了全球約90%至95%的DRAM產能，而這三家公司均已將晶圓產能轉向高頻寬記憶體，也就是輝達AI加速器所需的3D堆疊晶片。製造1GB的HBM消耗的晶圓產能約為標準DDR5的三倍，這意味著每一片用於AI記憶體的晶圓，都是從原本用於個人電腦、筆記型電腦和企業伺服器的傳統DRAM產能中抽調而來。

根據TrendForce的數據，2026年初DRAM合約價格較上一季飆升80%至95%，Jefferies預測第三季還將進一步上漲40%至50%。IDC預計2026年DRAM供應年增率僅約16%，遠低於歷史平均的20%至30%區間，因為新建晶圓廠需要兩到三年才能達到可觀產量。

產能擴建計畫雖已明朗，但仍需時間。美光正在紐約克萊市興建一座投資2500億美元的晶圓廠園區，目標是在2028年左右投產。SK海力士於7月10日在納斯達克上市籌資265億美元——這是外國企業在美國交易所進行的最大規模首次公開募股——用以資助其南韓龍仁半導體聚落，以及印第安納州一座投資40億美元的先進封裝廠。三星則正在擴建平澤P5廠。這三大項目預計都將在2027年至2028年間上線，多數分析師預期這將帶來第一波實質性的供應緩解。

HBM是無法繞過的瓶頸

高頻寬記憶體是一種3D堆疊DRAM架構，最多可將16個記憶體晶片垂直堆疊，並透過數千個稱為矽穿孔的微小銅柱連接。該堆疊直接位於GPU旁邊，共用一個矽中介層，形成的數據匯流排寬度約為傳統DDR5的32倍。目前用於輝達Blackwell GPU的HBM3E世代，每組堆疊可提供每秒1.2至1.33 TB的頻寬。SK海力士於2月開始量產的HBM4，則將I/O寬度加倍至2048位元，每組堆疊頻寬超過每秒2 TB。

SK海力士控制了全球約56.4%的HBM營收，是輝達的主要供應商。瑞銀預測，該公司將拿下輝達下一代Rubin平台約70%的HBM4訂單。美光已簽署一份多年期協議，成為Anthropic AI基礎設施的主要記憶體供應商，使其客戶基礎多元化，不再侷限於以輝達為中心的HBM供應鏈。

AI記憶體轉向的消費者代價

推動美光股價在過去一年飆漲超過800%至1.23兆美元市值的同一股動力，也帶來了不那麼顯而易見的代價。根據6月25日在加州北區聯邦法院提起的一起聯邦反壟斷集體訴訟，DRAM價格在四年內上漲了約700%。該訴訟案「Garciaguirre v. Samsung Electronics」指控這三家DRAM製造商自2022年10月左右開始協調供應限制。這些指控尚未得到證實；三家公司均表示將對此案進行辯護。

對投資人而言，問題在於這波週期是否會不同於記憶體產業三十年來的繁榮與蕭條循環。美光目前的本益比為23.4倍，相對於450%的營收增長來看似乎合理，但若AI基礎設施支出放緩，則幾乎沒有容錯空間。持有美光作為最大權重股（佔比27.6%）的Roundhill記憶體ETF，年初至今已上漲176%。

梅羅特拉關於供應緊繃將持續至2027年之後的預測，顯示定價能力至少還能再維持兩個財報週期。風險在於，這三家製造商的新晶圓廠若同時在2027至2028年間投產，將重現過去每次繁榮之後打壓記憶體類股的供過於求局面。就目前而言，數據支持多方論點：每一片晶圓都已被預訂，而下一波產能還需要兩年才能到位。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。