三星UFS 5.0达10.8 GB/s速度，赋能端侧AI应用

三星新一代UFS 5.0内存以10.8 GB/s的速度读取数据，是上一代的两倍多，瞄准了端侧AI处理需求的激增。

三星电子开发出业界最快的UFS 5.0存储解决方案，顺序读取速度达10.8 GB/s，性能较上一代提升一倍以上，以满足移动设备上运行大语言模型的需求。

"在端侧AI时代，存储设备正演变为定义AI体验的关键驱动力，"三星电子存储产品规划负责人Jangseok Choi表示。

UFS 5.0的顺序写入速度达9.5 GB/s，是UFS 4.1标准的两倍以上。通过时钟门控和多电压技术，能效提升了超过40%。封装尺寸为7.5毫米×13毫米×0.9毫米，比上一代缩小16.7%，为移动设备、可穿戴设备和扩展现实设备的设计提供了更大的灵活性。

量产将于2026年第四季度启动，容量最高可达1 TB。该技术瞄准旗舰智能手机、XR头显和AI可穿戴设备市场——在这些市场中，端侧AI处理要求更快的本地存储，以便在无云端延迟的情况下运行大语言模型。

UFS 5.0如何改变端侧AI的计算格局

生成式AI正从云端推理向本地处理转变，推动了设备端存储和检索数据量的激增。存储正从主要用于保存文件的媒介，演变为支撑AI计算的核心基础设施。三星UFS 5.0集成了最新的JEDEC嵌入式内存接口标准，实现了业界最高的10.8 GB/s带宽。

速度的提升之所以重要，是因为大语言模型需要快速访问存储在本地内存中的模型权重和参数。一台在本地运行70亿参数模型的智能手机，需要在毫秒级别加载数百兆字节的数据。UFS 5.0的10.8 GB/s吞吐量将这一加载时间相比UFS 4.1缩短了约一半，从而减少了用户查询与模型响应之间的延迟。

对竞争对手的压力

三星的这一发布给SK海力士和美光科技带来了压力，这两家公司均在开发各自的高速移动内存解决方案。SK海力士专注于AI加速器的HBM，而美光则在推动其232层NAND用于移动应用。三星UFS 5.0的跃升使其在高端智能手机存储领域获得了潜在的先发优势——在这一市场上，苹果和高通驱动的安卓旗舰机型正在争夺AI性能的领导地位。

三星自主生产NAND闪存和控制器，相比依赖第三方控制器设计的竞争对手拥有垂直整合优势。该公司计划扩大供应，以满足从旗舰智能手机到XR头显和AI可穿戴设备等下一代设备市场的需求。

对投资者的影响

三星电子（KRX: 005930）目前的股价约为账面价值的1.2倍，反映出该集团成熟的存储业务。UFS 5.0的突破可能支撑存储部门的利润率扩张，该部门2025年创造了约30万亿韩元的营业利润。对投资者而言，关键在于三星能否在竞争对手达到相同规格之前，将技术领先转化为定价能力。SK海力士（KRX: 000660）和美光（MU:US）面临加速自身产品路线图的压力，否则将面临在高端移动存储市场中失去份额的风险。

本文仅供信息参考，不构成投资建议。