Samsung Electronics, kıyasıya rekabetin yaşandığı küresel bellek pazarındaki hakimiyetini yeniden tesis edebilecek teknolojik bir sıçrama olan 900 katmanlı bir V-NAND prototipini başarıyla geliştirdi. Şirket tarafından onaylanan prototip, şimdiye kadar elde edilen en yüksek katman sayısını oluşturmak için yeni bir bağlama tekniği kullanıyor ve Samsung'u rakiplerine karşı koyacak ve yapay zeka sektöründen gelen patlayıcı talebi karşılayacak şekilde konumlandırıyor.
Bir sektör kaynağı Güney Koreli ETNews'e verdiği demeçte, bu başarının küresel müşterilere Samsung'un teknoloji lideri olmaya devam ettiğini gösterdiğini belirtti. Bu gelişme, Samsung'un şu anda 321 katmanlı ürünüyle pazara liderlik eden SK Hynix ile arasındaki farkı kapatmak için 400'den fazla katmana sahip 10. nesil V-NAND (V10) seri üretimine hazırlandığı bir dönemde kritik önem taşıyor.
Samsung'un 900 katmanlı prototipi, iki ayrı 450 katmanlı hücre plakasını tek bir işlevsel birimde birleştiren "Hücre Çoklu Bağlama" (CMB) teknolojisine dayanıyor. Bu yaklaşım, plaka eğrilmesi gibi fiziksel sınırların yüksek katmanlarda ciddi hale geldiği sektörün geleneksel tek istifleme yönteminden temel bir kopuşu işaret ediyor. Şirket, mükemmel hizalamayı sağlamak için yeni yüksek hassasiyetli "Üst Ayna" (Upper Chuck) tasarımı ve tescilli "Örtüşme Düzeltme" (Overlay Correction) teknolojisi ile bu sorunları çözdüğünü doğruladı.
Bu atılım, NAND flash pazarı için hayati bir anda gerçekleşti. Yapay zeka altyapı kurulumları, yüksek kapasiteli katı hal sürücülerine (SSD) yönelik benzeri görülmemiş bir talebi tetikliyor; TrendForce, fiyatların yalnızca 2026'nın ilk çeyreğinde yüzde 85 ila 90 oranında artacağını tahmin ediyor. Samsung'un daha yüksek yoğunluklu bir çipi ilk olarak sunma becerisi, yeni nesil yapay zeka sunucuları için karlı tasarım ihalelerini kazanmasını sağlayabilir.
İstiflemede Yeni Bir Paradigma
Tek katmanlı aşındırmadan çok plakalı bağlamaya geçiş, NAND üretiminde önemli bir evrimdir. Üreticiler yıllardır bellek hücrelerini dikey olarak istifliyor; daha yüksek katman sayıları doğrudan çip başına daha fazla depolama kapasitesi ve daha iyi güç verimliliği anlamına geliyor. Ancak, tek bir geçişte yüzlerce katman boyunca mikroskobik kanalları aşındırmak, silikon plakayı fiziksel olarak bükebilen ve verimliliği yok eden bir stres yaratıyor.
Samsung, daha yönetilebilir iki adet 450 katmanlı istif üretip bunları birbirine bağlayarak, şirketin 2030 için hedeflediği 1.000 katmanlı NAND'a giden uygulanabilir bir yol oluşturdu. Şirket, 900 katmanlı prototipte normal hücre çalışmasını doğrulayarak teknolojinin teorik bir gösterimin ötesinde işlevsel olduğunu teyit etti.
Üretim İçin Rekabet Yarışı
900 katmanlı prototip Samsung'a uzun vadeli bir yol haritası sunarken, asıl acil savaş 10. nesil seri üretimi için yaşanıyor. Japon Kioxia, 332 katmanlı "BiCS10" NAND'ını 2026 mali yılı (Nisan 2026 - Mart 2027) için en önemli öncelik olarak belirledi. Bu arada SK Hynix, 300 katmandan fazla olan kendi çipinin tam üretimine 2027 başlarında başlamayı hedefliyor.
Samsung'un yaklaşık 430 katmana sahip olması beklenen kendi 10. nesil V10 NAND'ının seri üretim takvimi gecikmelerle karşılaştı. Sektör kaynaklarına göre başlangıçta 2025 hedeflenmiş olsa da, büyük ölçekli yatırımın en azından 2026'nın ilk yarısına kadar gerçekleşmesi beklenmiyor. Gecikme, ultra yüksek katmanlı istifleri aşındırmanın zorlu teknik güçlüklerine ve yapay zeka hızlandırıcıları için daha yüksek kar marjı sağlayan HBM bellek üretimine yönelik stratejik odağa bağlanıyor. Bu durum, YMTC gibi Çinli firmaların yaklaşık 300 katmanlı ürünleriyle teknoloji farkını kapatmalarına rağmen rakipler için bir fırsat penceresi oluşturdu.
Başarılı 900 katmanlı test, Samsung'a güçlü bir pazarlama aracı ve kritik bir teknoloji koruması sağlıyor. Bu, pazara, rakipleri 300 ila 400 katmanlı nesil için savaşırken Samsung'un şimdiden bir sonraki neslin temelini attığını ve uzun vadede rakipler için daha yüksek bir teknoloji bariyeri oluşturabileceğini sinyalini veriyor.
Bu makale yalnızca bilgilendirme amaçlıdır ve yatırım tavsiyesi niteliği taşımaz.
