Những điểm chính:
Chip NAND 332 lớp của Kioxia mang lại mật độ bit cao hơn 59% và tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 30%, thách thức Samsung và SK Hynix trên thị trường lưu trữ AI.
Kioxia Holdings Corp. đã bắt đầu lấy mẫu bộ nhớ BiCS FLASH thế hệ thứ 10 cho các trung tâm dữ liệu AI, một chip 332 lớp với mật độ bit cao hơn 59% và tốc độ giao diện 4,8 Gb/s, thách thức Samsung Electronics Co. và SK Hynix Inc. trên thị trường NAND.
"Chúng tôi không thấy dấu hiệu suy yếu về nhu cầu từ các khách hàng trung tâm dữ liệu," Giám đốc điều hành Hiroo Ota cho biết tại một sự kiện truyền thông, đồng thời nói thêm rằng Kioxia có thể tăng chi tiêu vốn để đáp ứng nhu cầu lưu trữ AI ngày càng tăng.
Thiết bị TLC 1Tb, được sản xuất tại Nhà máy Kitakami Fab2 của Kioxia ở tỉnh Iwate, sử dụng công nghệ CMOS liên kết trực tiếp với mảng (CBA) để đạt được cải thiện tốc độ giao diện 33% so với thế hệ thứ 8. Hiệu suất năng lượng ghi được cải thiện 18% và hiệu suất năng lượng đọc được cải thiện 30%, theo công ty. Sản xuất hàng loạt dự kiến vào năm 2027.
Giá trị thị trường của Kioxia đã tăng hơn bảy lần trong năm nay lên hơn 250 tỷ USD, vượt qua Toyota Motor Corp., khi sự chuyển dịch từ đào tạo AI sang suy luận thúc đẩy nhu cầu về bộ nhớ NAND dung lượng cao. Công ty thiếu một dòng sản phẩm bộ nhớ băng thông cao (HBM) — một điểm yếu chiến lược so với các đối thủ Hàn Quốc vốn kết hợp NAND với HBM — nhưng nhà phân tích Kazuyoshi Saito tại IwaiCosmo Securities ước tính Kioxia dẫn trước từ hai đến bốn năm về hiệu suất và hiệu quả năng lượng NAND.
Tại Sao Lại Là 332 Lớp Thay Vì Hơn 400
Quyết định dừng lại ở 332 lớp của Kioxia — trong khi các đối thủ cạnh tranh đẩy lên hơn 400 — phản ánh một sự đánh đổi có chủ đích. Atsushi Inoue, tổng giám đốc đơn vị kinh doanh bộ nhớ của Kioxia, cho biết việc xếp chồng trên 400 lớp làm tăng mức tiêu thụ điện năng khi nhiều lớp lưu trữ hơn được kích hoạt trong quá trình đọc-ghi, và các lớp tế bào mỏng hơn có thể làm giảm khả năng lưu giữ điện tích. Thiết kế 332 lớp mang lại chi phí trên mỗi GB thấp hơn khoảng 10%, hiệu quả năng lượng tốt hơn 10% và độ tin cậy cao hơn 35% so với các giải pháp trên 400 lớp, Inoue cho biết.
Công nghệ CBA, được giới thiệu với thế hệ thứ 8, đã đẩy tốc độ giao diện từ 3,6 Gb/s lên 4,8 Gb/s, một lợi thế mà EE Times Japan ước tính mang lại cho Kioxia khoảng một năm dẫn trước các đối thủ về hiệu suất truyền dữ liệu.
Các Đối Thủ Hàn Quốc Mở Rộng Công Suất
Trong khi Kioxia tiến bộ về công nghệ, SK Hynix và Samsung đang tiến hành mở rộng công suất sản xuất NAND. SK Hynix vào ngày 2/7 đã công bố kế hoạch đầu tư 100.000 tỷ won (615 tỷ USD) vào một tổ hợp mới ở Cheongju, với 80.000 tỷ won được phân bổ cho cơ sở chế tạo NAND M17. Giám đốc điều hành Kwak Noh-jung cho biết nhu cầu NAND đang tăng trưởng nhanh chóng trong khi nguồn cung vẫn eo hẹp, với việc xây dựng bắt đầu vào năm tới và hoạt động dự kiến vào nửa đầu năm 2029.
Samsung cũng đang lên kế hoạch xây dựng dây chuyền sản xuất NAND mới tại khuôn viên P5 ở Pyeongtaek, với các phòng sạch dự kiến hoàn thành vào năm tới, theo một báo cáo của The Bell vào tháng 4. Việc mở rộng đồng thời của ba nhà sản xuất NAND hàng đầu đã làm dấy lên lo ngại về khả năng dư cung và áp lực giá cả — một yếu tố đã gây áp lực lên cổ phiếu Kioxia trước thông báo mới nhất.
Thị phần của Kioxia trong NAND trung tâm dữ liệu hiện ở mức khoảng 10%, so với khoảng 40% của Samsung và 30% của SK Hynix, theo nhà phân tích Akira Minamikawa của Omdia. Tuy nhiên, Minamikawa cho biết chip của Kioxia xử lý dữ liệu nhanh hơn so với các đối thủ cạnh tranh, một chỉ số mà các nhà khai thác trung tâm dữ liệu siêu quy mô của Mỹ ưu tiên hơn tất cả. "Chip thế hệ thứ 10 đạt được một bước đột phá lớn trong lĩnh vực này," ông nói. "Nó có tính cạnh tranh rất cao."
Cổ phiếu Kioxia đã giảm tới 12% trong phiên trước khi đảo chiều đóng cửa tăng hơn 10%, phản ánh cả cột mốc sản phẩm và sự trấn an về nhu cầu của Ota. Cổ phiếu đã tăng hơn 680% từ đầu năm đến nay. Công ty đang xem xét chia tách cổ phiếu và có kế hoạch niêm yết cổ phiếu lưu ký Mỹ trên một sàn giao dịch của Mỹ vào đầu năm tài chính bắt đầu từ tháng 4/2027, nhằm mở rộng cơ sở nhà đầu tư. SK Hynix cũng đang theo đuổi việc niêm yết tại Mỹ, nhắm mục tiêu lên tới 29,4 tỷ USD, khi các công ty bán dẫn châu Á khai thác các nguồn vốn sâu hơn để tài trợ cho việc mở rộng do AI thúc đẩy.
Bài viết này chỉ nhằm mục đích cung cấp thông tin và không cấu thành lời khuyên đầu tư.
