Samsung Electronics đã phát triển thành công nguyên mẫu V-NAND 900 lớp, một bước nhảy vọt về công nghệ có thể tái lập vị thế thống trị của hãng trong thị trường bộ nhớ toàn cầu đầy cạnh tranh. Nguyên mẫu này, đã được công ty xác nhận, sử dụng kỹ thuật liên kết mới để tạo ra số lớp cao nhất từng đạt được, định vị Samsung đối phó với các đối thủ và đáp ứng nhu cầu bùng nổ từ lĩnh vực trí tuệ nhân tạo.
Một nguồn tin trong ngành nói với tờ ETNews của Hàn Quốc rằng thành tựu này cho các khách hàng toàn cầu thấy Samsung vẫn là người dẫn đầu về công nghệ. Sự phát triển này rất quan trọng khi Samsung đang chuẩn bị cho V-NAND thế hệ thứ 10 (V10), với hơn 400 lớp, để sản xuất hàng loạt nhằm thu hẹp khoảng cách với SK Hynix, đơn vị hiện đang dẫn đầu thị trường với sản phẩm 321 lớp.
Nguyên mẫu 900 lớp của Samsung dựa trên công nghệ "Cell Multi-Bonding" (CMB), liên kết hai tấm wafer 450 lớp riêng biệt thành một đơn vị chức năng duy nhất. Cách tiếp cận này đánh dấu một sự thay đổi cơ bản so với phương pháp xếp chồng đơn truyền thống của ngành, nơi các giới hạn vật lý như cong vênh tấm wafer trở nên nghiêm trọng ở các lớp cao hơn. Công ty xác nhận đã giải quyết những vấn đề này bằng thiết kế "Upper Chuck" có độ chính xác cao mới và công nghệ "Overlay Correction" độc quyền để đảm bảo căn chỉnh hoàn hảo.
Bước đột phá này đến vào thời điểm then chốt đối với thị trường flash NAND. Việc xây dựng cơ sở hạ tầng AI đang thúc đẩy nhu cầu chưa từng có đối với ổ cứng thể rắn (SSD) dung lượng cao, với việc TrendForce dự báo giá sẽ tăng vọt từ 85 đến 90 phần trăm chỉ riêng trong quý đầu tiên của năm 2026. Khả năng cung cấp chip mật độ cao hơn trước của Samsung có thể đảm bảo các chiến thắng thiết kế béo bở cho các máy chủ AI thế hệ tiếp theo.
Một mô hình mới trong xếp chồng
Việc chuyển từ khắc đơn tầng sang liên kết đa tấm wafer là một sự tiến hóa đáng kể trong sản xuất NAND. Trong nhiều năm, các nhà sản xuất đã xếp chồng các ô nhớ theo chiều dọc, với số lượng lớp cao hơn trực tiếp chuyển thành dung lượng lưu trữ lớn hơn trên mỗi chip và hiệu suất năng lượng tốt hơn. Tuy nhiên, việc khắc các kênh siêu nhỏ qua hàng trăm lớp trong một lần duy nhất gây ra ứng suất có thể làm cong tấm silicon một cách vật lý, phá hủy hiệu suất.
Bằng cách sản xuất hai chồng 450 lớp dễ quản lý hơn và sau đó liên kết chúng lại, Samsung đã tạo ra một con đường khả thi hướng tới NAND 1.000 lớp, mục tiêu mà công ty đang hướng tới vào năm 2030. Công ty đã xác minh hoạt động bình thường của ô nhớ trong nguyên mẫu 900 lớp, xác nhận công nghệ này có chức năng vượt xa một bản trình diễn lý thuyết.
Cuộc đua cạnh tranh vào sản xuất
Trong khi nguyên mẫu 900 lớp cung cấp cho Samsung một lộ trình dài hạn, cuộc chiến trước mắt là sản xuất hàng loạt thế hệ thứ 10. Kioxia của Nhật Bản đã chỉ định NAND "BiCS10" 332 lớp là ưu tiên hàng đầu cho năm tài chính 2026 (tháng 4 năm 2026 - tháng 3 năm 2027). Trong khi đó, SK Hynix đặt mục tiêu sản xuất toàn diện chip 300 lớp trở lên của riêng mình vào đầu năm 2027.
V-NAND V10 thế hệ thứ 10 của chính Samsung, dự kiến có khoảng 430 lớp, đã chứng kiến lộ trình sản xuất hàng loạt bị trì hoãn. Ban đầu mục tiêu là năm 2025, các nguồn tin trong ngành hiện cho biết đầu tư quy mô lớn không được mong đợi cho đến ít nhất là nửa đầu năm 2026. Sự chậm trễ được cho là do những thách thức kỹ thuật to lớn của việc khắc các chồng lớp cực cao và sự tập trung chiến lược vào sản xuất bộ nhớ HBM, vốn mang lại tỷ suất lợi nhuận cao hơn cho các bộ tăng tốc AI. Điều này đã tạo ra cơ hội cho các đối thủ cạnh tranh, ngay cả khi các công ty Trung Quốc như YMTC thu hẹp khoảng cách công nghệ với các sản phẩm gần 300 lớp của riêng họ.
Thử nghiệm 900 lớp thành công cung cấp cho Samsung một công cụ tiếp thị mạnh mẽ và một biện pháp phòng ngừa công nghệ quan trọng. Nó báo hiệu cho thị trường rằng trong khi các đối thủ của họ đang đấu tranh cho thế hệ 300 đến 400 lớp, Samsung đã và đang xây dựng nền tảng cho thế hệ sau đó, có khả năng tạo ra rào cản công nghệ cao hơn cho các đối thủ cạnh tranh trong dài hạn.
Bài viết này chỉ dành cho mục đích thông tin và không cấu thành lời khuyên đầu tư.
