ASML 上漲 2%，台積電與三星採用高數值孔徑 EUV 設備

ASML 的高數值孔徑（High-NA）EUV 微影設備獲得台積電與三星電子的採用承諾，帶動這家荷蘭設備商的美国掛牌股價於 9 月 8 日盤前交易上漲逾 2%。

「隨著產業邁入由人工智慧驅動的新時代，與客戶的緊密合作變得更加重要，」ASML 總裁暨執行長 Christophe Fouquet 在與三星的聯合聲明中表示。

三星計劃成為首家於 2028 年前將高數值孔徑 EUV 應用於 DRAM 量產的晶片製造商，隨後將該技術延伸至其 1.4 奈米先進邏輯製程。全球最大晶圓代工廠台積電則表示，將在其預計 2029 年量產的 A13 製程中沿用傳統 EUV，待生產力與成本效益確立後方採用高數值孔徑技術。兩家公司均已加入 ASML 的大型光罩聯盟（Large Mask Consortium），共同開發 12 吋光罩標準，取代自 1980 年代沿用至今的 6 吋規格。

雙方的承諾為 ASML 最昂貴的產品線確保訂單流——每台高數值孔徑 EUV 系統造價約 5000 億韓圜（約 3.7 億美元），約為傳統 EUV 機台的兩倍。ASML 在 EUV 微影領域獨佔鰲頭，該技術是唯一能圖案化最先進邏輯與記憶體晶片的方法。

三星提前押注高數值孔徑應用於 DRAM

三星的時間表在兩者中更為積極。該公司去年已將首台高數值孔徑 EUV 設備運抵南韓，現計劃自 2028 年起將該技術應用於 DRAM 生產——此為業界首創——隨後再擴展至 1.4 奈米晶圓代工製程。透過早期大量投片，三星希望在該技術成為全產業標配之前，率先解決良率與品質問題。

「憑藉創新技術與強大的夥伴關係，三星電子將持續引領先進半導體製造（包括晶圓代工與記憶體），並將進一步加強與 ASML 的合作，為『下一代 AI』奠定技術基礎，」三星電子副會長暨執行長 Jun Young-hyun 表示。

高數值孔徑 EUV 將投影光學元件的數值孔徑從 0.33 提升至 0.55，增幅達 66%，可印出更精細的電路圖案。從 6 吋光罩過渡至 12 吋光罩——此一規格自 1980 年代起定義了整個產業——預計可減少每片晶圓所需的曝光次數，進而提升產能。ASML 預期採用較大型光罩格式可帶來約 40% 的生產力增益。

台積電的審慎路徑持續沿用傳統 EUV

台積電的策略截然不同。在 4 月舉行的技術研討會上，這家台灣晶圓代工廠表示將在 1.3 奈米 A13 製程中倚賴傳統 EUV，該製程預計於 2029 年量產。A13 節點沿用前代 A14 世代的基本架構，同時將晶片面積縮小約 6%，顯示台積電判斷既有微影技術已足以支應該節點。

台積電已與三星共同參與 12 吋光罩的開發工作，但其策略是在大規模採用高數值孔徑之前，先最大化傳統 EUV 的使用壽命。該公司表示，待生產力與成本效益經充分驗證後，才會採用高數值孔徑技術。

兩家公司策略分歧反映其不同的競爭壓力。三星在晶圓代工市佔率上落後台積電，需要早期製造經驗以縮小差距；台積電則憑藉其主導地位，有餘裕等待技術成熟。對 ASML 而言，無論哪種結果都對其有利：兩家公司均已承諾採用 12 吋光罩標準，並各自訂定高數值孔徑的採用時程。

ASML 股票在荷蘭泛歐交易所（Euronext Amsterdam）及那斯達克以代號 ASML 交易。該公司全球員工逾 44,000 人，是全球唯一的 EUV 系統供應商，每台機台造價超過 3.5 億美元。台積電與三星的承諾將 ASML 的營收能見度延伸至下一個十年，因 AI 驅動的需求正推動晶片製造商邁向更微小的製程節點。

本文僅供資訊參考用途，不構成投資建議。