AI伺服器緊縮供給 DRAM價格翻倍、NAND漲三倍

標準型DRAM與NAND快閃記憶體價格7月創下歷史新高，記憶體製造商將生產重心轉向AI伺服器元件，帶動DDR4 PC DRAM自1月以來上漲109%、NAND上漲218%。

營運DRAMeXchange報價服務的市場研究機構集邦科技（TrendForce）預測，隨著AI伺服器與高頻寬記憶體（HBM）需求持續吸納產能，DRAM供給緊張態勢將延續至2027年。

DDR4 8Gb標準型PC DRAM平均固定成交價7月月增14.3%至24美元，為2016年6月開始記錄以來的最高水準。價格自1月的11.50美元逐步攀升，依序經過3月的13美元、4月的16美元、5月的20美元及6月的21美元。NAND方面，128Gb MLC平均價格達到30.05美元，較6月上漲4.3%，首次突破30美元關卡。

此波漲價潮讓主導DRAM與NAND市場的三星電子和SK海力士受惠，同時壓縮PC與消費性電子製造商的獲利空間，因其須面對更高的元件成本。集邦預期DRAM缺貨將持續至2027年，而NAND供給可望在2027下半年因新晶圓產能上線而獲得紓解。

AI伺服器吸納產能，壓縮傳統產品供給

記憶體製造商正優先投入HBM、伺服器DRAM及高層數3D NAND——這些與AI基礎建設擴張相關、利潤率更高的產品。此一生產重心轉移已減少標準型PC DRAM及用於記憶卡、隨身碟與嵌入式系統的舊製程NAND產出。

供給緊縮在最為嚴重的SLC NAND尤為明顯，該產品廣泛應用於車用電子、網路設備與工業控制領域。7月SLC NAND價格月增35%至51%，遠超MLC產品的4%至8%漲幅。即便長期漲價已推升下游買家的採購成本，SLC庫存短缺仍持續存在。

集邦指出，成品價格上漲使筆電需求走弱，但供應商在價格談判中仍握有主導權。PC DRAM供給預計將進一步收緊，因伺服器產品持續吸納產能。

此一定價動態反映記憶體產業的結構性轉變。微軟、亞馬遜及Google等超大規模雲端業者的AI資料中心擴建，創造了對HBM與伺服器級記憶體前所未有的需求，這些產品的價格遠高於大宗商品型DRAM。記憶體製造商因而將晶圓產能重新配置至這些高階產品，壓縮了PC與消費性電子部門的產出。

DRAM與NAND展望分歧

集邦的預測將兩大記憶體類別分開評估。DRAM缺貨預計在AI伺服器需求持續與HBM普及的驅動下延續至2027年。相較之下，NAND供給條件可望在2027下半年因新產能上線而逐漸紓解。

對三星電子和SK海力士而言，延續的定價能力直接轉化為營收與獲利擴張。兩家公司皆為此波AI記憶體循環的主要受益者，HBM享有溢價定價。DRAM持續緊俏意味其定價能力可維持至2027年。

對下游PC與消費性電子製造商而言，成本壓力持續升高。元件成本過去七個月大幅上漲，成品價格已在攀升。關鍵問題在於消費需求能否吸收進一步漲價，抑或隨著NAND產能擴張，記憶體循環終將降溫。

追蹤記憶體循環的投資人應留意展望中的不對稱性。DRAM定價能力可望維持至2027年，支持三星與SK海力士持續擴張獲利。然而NAND在2027下半年可能面臨供給正常化，或將壓縮相關產品的定價。此一分歧顯示記憶體類股投資邏輯將日益取決於產品組合，而非整體循環。

本文僅供參考，不構成投資建議。