英特爾EMIB-T量產挑戰台積電CoWoS，瞄準790億美元AI封裝市場

英特爾正加速EMIB-T先進封裝的量產進程，以挑戰台積電CoWoS，該市場預估將從461億美元成長至2030年的794億美元，因AI對處理器與記憶體連結的需求日益增強。

「我們現正專注於將EMIB-T推升至高產量生產，以支援客戶於2027年的量產需求，」英特爾執行長陳立武在公司2026年第二季財報電話會議上表示。

英特爾EMIB-T預計今年將擴展至超過8倍光罩尺寸，並於2028年突破12倍。台積電CoWoS在5.5倍光罩尺寸下已進入量產，良率持續維持在98%以上，並計劃於2029年前擴展至14倍以上。英特爾的做法是將矽橋直接嵌入基板中，省去CoWoS所需的完整尺寸中介層——此設計透過移除中介層來降低成本。

此役利害重大。Counterpoint Research估計，未來五年內將有超過1.3億顆GPU和AI ASIC搭載先進封裝的運算記憶體出貨，產生近2兆美元的運算營收。英特爾代工業務第二季營收為58億美元，年增31%，但該公司股價在過去一年飆漲400%後，目前以66倍前瞻本益比交易。

中介層之爭：EMIB與CoWoS

隨著半導體製程節點向2奈米及以下推進，業界已從平面電晶體轉向FinFET，如今再邁向GAAFET架構。但製程微縮成本持續攀升，促使晶片設計商轉向去整合化——將單一晶片拆分為多個小晶片，透過先進封裝加以連接。晶粒之間的互連品質，決定了小晶片設計能否實現其高頻寬、低延遲通訊的承諾。

台積電的CoWoS（晶圓上晶片-基板上晶片）技術透過微凸塊將多個晶粒整合至矽中介層上，再將中介層接合至封裝基板。此方法已成為AI加速器的事實標準，輝達、AMD及主要雲端供應商均依賴其進行HBM整合。根據TrendForce數據，台積電在全球代工市場佔有率約為72%。

英特爾的EMIB（嵌入式多晶粒互連橋）則走不同路線。它不採用完整尺寸的中介層，而是將矽橋直接嵌入基板中，作為晶片之間的溝通連結。這降低了材料成本並簡化了製造流程。該公司亦已與軟銀旗下SAIMEMORY合作開發ZAM——一款近中期的HBM4級記憶體介面挑戰者，並正在開發XBM——一項採用BEOL薄膜電晶體與序列UCIe的長期重新設計方案。

台灣的封測供應商也在積極布局。日月光（ASE）的FOCoS（扇出型基板上晶片）技術使用多層重分布層來整合處理器、記憶體與I/O晶片，其互連密度約為傳統覆晶封裝的50倍——而FOCoS-Bridge更可達200倍以上。矽品（SPIL）則開發了FOEB（扇出嵌入式橋接）技術，將矽橋嵌入RDL層中，實現晶粒間近乎單晶片級的高密度連接。

400%漲幅下的投資者算盤

根據SEMI引用的Yole Group數據，先進封裝市場年成長率約為9.5%，而TechInsights指出，3D堆疊與混合鍵合技術在2023年至2029年間的年成長率約為25%。此成長集中於AI相關技術：HBM堆疊、2.5D/3D整合及共封裝光學。

英特爾代工業務的動能不僅限於封裝。該公司近日簽下Fortinet作為其Security Processor 6客戶，該產品採用英特爾4製程節點製造——這是陳立武領導下首個具名的外部客戶。代工營收第二季成長31%至58億美元，高於公司設定的25%目標。

英特爾股價過去一年飆漲400%，目前以66倍前瞻本益比交易。市場已將大量的代工扭轉預期計入股價。相較之下，台積電在先進封裝領域維持顯著的規模與技術優勢，CoWoS在多方AI客戶產品上的良率均超過98%。

投資者面臨的問題是：英特爾EMIB-T能否在2027年前縮小差距？屆時陳立武預期高產量生產將可支援客戶量產。若英特爾如期達標，可能對台積電在AI封裝領域的定價能力構成壓力。若未能達標，台積電憑藉JEDEC標準相容性與經實證的製造規模所建立的穩固地位，將可望持續維持。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。