記憶體晶片股延續漲勢，SanDisk 盤前大漲 6%

美國記憶體晶片股週一盤前延續類股全面漲勢，SanDisk 上漲近 6%，受 AI 驅動的高頻寬記憶體需求帶動，DRAM 與 NAND 價格持續攀升。

美光科技（Micron Technology）執行長 Sanjay Mehrotra 表示，公司僅能滿足部分關鍵客戶 50% 至三分之二的需求，稱此為「史上最大供需缺口」。

SanDisk 上漲近 6%，Western Digital 與 SK 海力士（SK Hynix）ADR 上漲近 4%，美光則上漲逾 3%。此前一週，SanDisk 累計上漲 35.38%，SK 海力士 ADR 上漲 20.61%，美光上漲 10.72%，而同期那斯達克指數僅上漲 0.14%。

本輪漲勢建立在真實的供給短缺之上，而非單純投機。DDR5（16Gb）現貨價格自 2025 年 11 月以來已上漲逾四倍，TrendForce 數據顯示，標準 DRAM 合約價在 2026 年第一季季增 93% 至 98%，第二季再季增 53% 至 58%。

HBM 需求擠壓標準 DRAM 產能

單一 HBM 晶粒消耗的晶圓資源是標準 DDR5 的三至四倍，持續將產能從通用記憶體中抽離。此一動態帶動獲利成長遠超前於股價表現。美光 2026 會計年度第三季營收年增 345.7%，SanDisk 第四季營收成長 372%，使得落後的本益比——SanDisk 目前交易本益比約 19.51 倍——系統性地低於基本面水準。

需求前景吸引創紀錄的資本承諾。7 月 24 日，Nvidia 與 SK 集團宣布一項數年間總額超過 5000 億美元的合作伙伴關係，以鎖定 AI 記憶體供應並興建預計於 2027 年上線的資料中心。SK 海力士董事會於 8 月 8 日批准約 383 億美元的額外擴產計畫，涵蓋韓國兩個廠區，時間橫跨至 2031 年。產業數據顯示，韓國半導體出口在 8 月初年增 155%。

集中度與週期風險浮現

純記憶體主題的 Roundhill Memory ETF 於 4 月 2 日推出，費用率 0.65%，其風險集中在少數個股。美光（25.42%）、三星電子（25.4%）與 SK 海力士（20.44%）合計占持股逾 70%，使該基金暴露於韓元匯率波動風險。該 ETF 自 6 月 22 日高點 81.34 美元下跌近 35% 至 7 月底，隨後反彈約 30%。

對於此一週期的持續時間，各機構預測分歧明顯。高盛（Goldman Sachs）預測供需緊張將持續至 2028 年，交銀國際（BOCOM International）則認為至少延續至 2027 年第四季。相比之下，摩根士丹利（Morgan Stanley）預期 DRAM 合約價的年增率將於 2026 年第四季見頂——這是一個警示，市場可能在價格實際下跌之前就已反映預期的轉變。

美光即將公布的第四季財報，將考驗本輪漲勢是否還有續航空間。對投資人而言，記憶體超級週期的論述看似完好，但 DRAM ETF 自 7 月低點反彈 30%，顯示短期漲幅已部分反映在價格中。戰術型買家宜採分批布局；長期配置者則面對機構預測相互矛盾的入場價位風險。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。