Navitas Semiconductor轉向AI基礎設施，押注2026年成長

Navitas Semiconductor Corp. 正轉向AI基礎設施，押注氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）功率晶片將在資料中心能源支出中佔據更大份額，因為營運商競相降低電力成本。這項於7月21日宣布的轉向，使這家總部位於加州埃爾塞貢多的公司得以切入一個隨著AI工作負載推高用電量而不斷擴張的市場。

該公司在聲明中概述了此一策略方向，指出資料中心營運商對能夠在電壓轉換過程中減少能量損耗的電源解決方案需求正在升溫。GaN與SiC晶片——這類寬能隙半導體可在比傳統矽晶片更高的電壓與溫度下運作——正越來越多地用於AI伺服器電源供應器中，因為效率的提升直接轉化為更低的營運成本。

Navitas的GaNFast與GaNSafe產品線針對氮化鎵市場，而其GeneSiC產品組合則鎖定碳化矽市場。該公司的晶片由全球最大半導體代工廠台積電（TSMC）製造。傳統矽基功率晶片在轉換過程中會有一部分能量以熱能形式損耗；GaN與SiC替代方案可顯著減少這些損耗，因此對耗電量極大的AI資料中心極具吸引力——電力正是這類設施中最大的單一營運支出。

這項策略轉向正逢AI基礎設施支出加速之際。包括亞馬遜雲端服務（AWS）、微軟（Microsoft Corp.）及Alphabet Inc.旗下谷歌（Google）在內的主要雲端服務商，正投入數十億美元擴建資料中心產能，從而創造了對能夠承受更高負載同時提升效率的功率元件的需求。單一AI資料中心的用電量可超過100兆瓦，其中冷卻與功率轉換佔總能源使用量的相當大比重。

對Navitas而言，這次轉向代表一個機會，使其能夠在手機充電與消費性電子等傳統市場之外實現多元化發展。根據Yole Group的數據，全球GaN功率半導體市場預計在2020年代末之前將以每年超過40%的速度成長，而SiC功率元件市場則預計到2027年將超過60億美元。

Navitas在兩個領域都面臨成熟的競爭對手。全球最大的功率半導體製造商英飛凌科技（Infineon Technologies AG）已大舉投資SiC產能，而Wolfspeed Inc.則在紐約州與北卡羅來納州營運專用SiC晶圓製造設施。Navitas的整合式GaN-plus-driver方案——將功率電晶體與其驅動電路整合於單一晶片上——簡化了資料中心客戶的系統設計，可能因此提供競爭優勢。

該公司預計將於8月初公布第二季財報，這將為投資人提供首次深入了解AI基礎設施轉向如何影響財務表現的機會。該策略的成功將取決於Navitas能否將其技術地位轉化為主要資料中心營運商的設計案訂單，以及能否擴大產能以滿足需求。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。