三星HBM4良率達80% 衝擊SK海力士AI記憶體主導地位

三星電子HBM4良率已攀升至約80%，較年底目標提前四個月達標，使這家晶片製造商具備足夠的生產穩定性，得以挑戰SK海力士在AI記憶體市場的主導地位。

尚明大學系統半導體工程系教授李鍾煥表示，輝達（Nvidia）及其他主要客戶受益於多供應商採購策略，這為三星在HBM4產能放量之際擴大市場版圖提供了契機。

據《首爾經濟日報》報導，三星HBM4良率在2月量產初期僅低於60%，約六個月後即突破80%門檻。三星已設定目標，要在第三季將HBM4營收較前一季增加兩倍，並於下半年將HBM4提升至總HBM銷售額的60%以上。公司同時力求在年底前將HBM市占率提升至接近其DRAM約38%的水準。

良率的突破直接支撐輝達Vera Rubin AI加速器的生產，該產品高度依賴高頻寬記憶體供應。三星HBM4產能的擴大也可能對SK海力士構成壓力——後者自AI熱潮興起以來一直掌控HBM市場——並為超大規模雲端運算業者提供第二個可靠的AI記憶體供應來源，以支援大型語言模型訓練。

「一個團隊」策略推動良率提升

三星將良率的快速提升歸功於一體化策略：其記憶體、晶圓代工及先進封裝部門從設計階段即協同合作，而非各自為政。公司同時攻克了熱壓縮非導電膜（TC-NCF）製程中的一項關鍵技術瓶頸，該瓶頸此前因影響記憶體晶粒的堆疊與鍵合而限制了良率。據業界估算，SK海力士自家的HBM4良率也已觸及80%，但三星的改善速度使雙方差距縮小的步伐較分析師預期更快。

在半導體製造中，80%的良率——常被稱為「黃金良率」——意味著缺陷率已低至單位成本大幅下降、產能可在不犧牲品質的情況下擴張的程度。三星僅用六個月即達到此門檻，而先進記憶體產品通常需要約一年時間，這使三星得以更快實現HBM4的獲利。

隨著AI基礎設施投資加速，整體HBM市場正日益收緊。據業界報告指出，AI需求據稱已預訂三星、SK海力士及美光（Micron）2027年幾乎全部的DRAM和HBM供應，這推高了整體記憶體價格。三星良率的提升恰好發生在供應瓶頸已成為AI加速器生產主要制約因素之際。

HBM4E增添動能

三星的下一代HBM4E據報已在可靠性測試中突破70%良率，公司並正擴大華城及平澤廠區的產能以滿足輝達、AMD及其他AI客戶的需求。三星已於2026年5月出貨HBM4E樣品，在HBM4量產放量的同時，也為下一波高頻寬記憶體競爭做好布局。

根據三星自身的指引，其2026年HBM銷售額可能較2025年成長逾兩倍，公司同時利用既有無塵室產能及新建晶圓廠來最大化供應。三星的HBM4E量產時程也已提前，顯示公司看好的是持續多年的AI記憶體週期，而非短期的供應緊縮。

三星HBM4良率里程碑及產能擴張可能重塑由SK海力士主導的AI記憶體市場。三星半導體部門可望受惠於下半年更高的HBM4營收，而SK海力士（000660.KS）則面臨日益激烈的競爭，因三星約38%的HBM市占率目標將大致追上其DRAM市占水準。美光（Nasdaq: MU）也已宣布為輝達Vera Rubin平台進行HBM4的高量產，為市場競爭增添另一層變數。

本文僅供參考，不構成投資建議。