三星、SK海力士深化中國供應鏈清洗，重塑1600億美元記憶體市場

南韓前兩大記憶體製造商正在從供應鏈中剔除中國設備，每年威脅45億美元的採購規模。

三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）正在評估更換由中國擁有的Mattson Technology設備，並要求供應商避免向中國晶圓廠銷售相同產品，半導體供應鏈脫鉤持續升級，威脅數十億美元的跨境採購。

「去中化正在從設備擴展到零組件，」一位首爾研究機構追蹤記憶體供應鏈的行業分析師表示。「這不再只是地緣政治問題——而是關乎確保先進製程節點的准入。」

此舉緊隨台積電（TSMC）早前將中國設備排除在其2奈米生產線之外，包括中微半導體（AMEC）的蝕刻設備。三星與SK海力士正在針對總部位於美國、2016年被北京亦莊國投（E-Town Capital）收購的Mattson Technology，該公司供應光阻剝離與快速熱處理系統。根據韓國媒體7月7日報導，這兩家韓企也已指示零組件供應商避免向中國半導體製造商銷售相同零組件。

此次供應鏈重組正值記憶體產業進入由AI需求驅動的超級週期。報導指出，三星正考慮在第三季將DRAM價格提高20%，而SK海力士則與Nvidia的AI加速器一同主導高頻寬記憶體（HBM）市場。對中國設備製造商而言，這波清洗可能切斷其進入全球兩大記憶體生產商的通路，這兩家公司合計控制超過70%的1600億美元DRAM市場。

誰贏誰輸：供應鏈重組的贏家與輸家

其影響在中國半導體供應鏈中各環節不均衡。設備製造商面臨最直接的曝險。已被排除在台積電2奈米生產線之外的中微半導體，若韓國記憶體廠商跟進，可能進一步損失營收。北方華創（NCCM）與盛美上海（ACM Research）雖尚未受到直接影響，但隨著脫鉤從設備擴散至零組件，面臨的風險正在增加。

封測廠商則呈現結構性分歧。SK海力士與無錫太極實業合資的海太半導體（Haitai Semiconductor）直接與韓國需求連結，面臨訂單不確定性。相比之下，長鑫存儲（CXMT）的核心供應商太極半導體（Taiji Semiconductor）以及中國最大晶片封測廠長電科技（JCET），則因國內晶圓廠加速擴產以填補外國設備限制留下的缺口，有望從中受益。

材料供應商短期內影響有限。向SK海力士供應HBM前驅體的雅克科技（Yakult）所涉及的化學材料尚未列入更換清單。但分析師表示，風險敞口依然存在。

最明顯的受益者則是晶片設計公司。兆易創新（GigaDevice）與北京兆芯（Zhaoxin）採用無晶圓廠模式，客戶群以國內為主，使其免受脫鉤影響。外部摩擦加速了國產替代的進程，三星與SK海力士逐步退出傳統DDR3市場，也為中國競爭對手釋放出定價空間。

中國的記憶體雄心遭遇技術高牆

此次供應鏈清洗正值中國進軍記憶體生產最積極的時刻。長鑫存儲是中國領先的DRAM製造商，其全球營收佔比已從一年前的3%成長至2026年的8%，躍居全球第四大DRAM生產商。根據路透報導，該公司營運兩座12吋晶圓廠，合計月產能約30萬片，計劃透過在上海新建廠房將產能翻倍至60萬片。

但技術限制制約了長鑫存儲的雄心。由於無法取得ASML的極紫外光（EUV）微影設備——遭美國出口管制封鎖——長鑫存儲的DDR5晶粒尺寸約比三星同級產品大40%，每片晶圓可生產的可用晶片數量更少。其每比特成本仍比前三大供應商高出30%以上，顯示當前的盈利能力更多仰賴異常強勁的市場定價，而非真正的製造效率。

在推動AI熱潮的高階記憶體領域——HBM，差距更為明顯。長鑫存儲僅向華為等客戶提供HBM2和HBM3晶片樣品，而商業量產進度一再推遲。競爭對手三星與SK海力士則已在出貨第四代HBM——HBM4。

對投資人而言，脫鉤創造出兩極化的機會。與國內產能相關的中國無晶圓廠記憶體設計公司與封測廠商，是國產替代敘事中最明確的受益者。而營收能見度惡化的設備製造商，若曝露於韓國與台灣客戶之下，則面臨估值風險。更廣泛的問題——中國記憶體產業能否在沒有EUV設備的情況下縮小技術差距——將決定當前的供應鏈中斷是暫時性的調整，還是1600億美元記憶體市場的永久性重組。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。