三星與SK海力士擴充中國NAND產能，月產量上看8萬片晶圓

三星電子與SK海力士正擴充其中國廠房的NAND快閃記憶體產能，目標將先進月產能合計提升至7萬至8萬片晶圓，因應AI伺服器對高階儲存的需求加速成長。三星自今年上半年起已將其西安X2產線轉換生產V9 NAND，而SK海力士則自第三季起開始對大連二廠進行設備投資。

一位業內人士表示：「SK海力士計劃於明年上半年之前，在大連二廠完成約每月3萬片晶圓NAND產能的設備投資。」他補充說，包括蝕刻機在內的核心製造設備將於下個月開始陸續抵達。

三星的V9 NAND採用280層堆疊技術，預計西安X2產線月產量可達4萬至5萬片晶圓。該公司已敲定以增購蝕刻設備為核心的追加投資計畫——蝕刻是NAND製造中的關鍵步驟，需在數百層堆疊的儲存單元中鑽出供電子移動的通道孔。預計設備採購訂單將於今年底前下達，追加投資則排定於明年下半年執行。

此一擴產行動凸顯了中國生產基地對兩家公司的戰略重要性，儘管美國對半導體技術實施出口管制。三星西安廠佔其NAND快閃記憶體總產量的40%，而SK海力士的大連廠則佔其NAND產量的30%，其無錫廠佔DRAM總產量的40%。2025年，三星對西安廠的權益投資年增68%，達4,654億韓元（約3.34億美元）。SK海力士在無錫與大連的合計投資則超過1兆韓元（約7.233億美元）。

西安與大連支撐AI儲存攻勢

此次擴產之時，正值AI基礎設施建設帶動企業級SSD與AI伺服器所用高階NAND的需求。NAND快閃記憶體是固態硬碟中儲存資料的非揮發性記憶體，在AI資料中心部署中已成為瓶頸，因為模型訓練與推論工作負載會產生巨量資料。

這兩家韓國記憶體巨頭正將中國廠房視為高階NAND量產的關鍵支柱。SK海力士的大連廠係於2020年下半年透過收購英特爾NAND事業而取得，二廠於2022年舉行開工典禮。由於市場條件因素，設備投資此前一直延期至今。

此輪投資週期亦反映更廣泛的產業動態。全球第三大NAND生產商美光曾警告，限制AI效能的「記憶體牆」可能進一步惡化，而SK海力士則重申其12層HBM4已量產，16層產品正進入驗證階段。在中國的NAND擴產與這些努力相輔相成，為兩家公司提供額外產能以服務AI儲存市場。

對投資人的啟示

對投資人而言，此次擴產顯示先進記憶體產品需求持續強勁。三星電子與SK海力士股價受惠於AI記憶體週期，韓國散戶投資人過去一週內向3倍槓桿半導體ETF SOXL投入近9,845億韓元（約7.12億美元）。持有三星、SK海力士及美光的Roundhill Memory ETF則吸引8,878萬美元的淨買入。

兩家公司儘管面對地緣政治緊張，仍承諾在中國擴充高階NAND生產，反映其戰略考量：中國廠房具備成本優勢，且鄰近全球最大的資料中心市場。隨著AI伺服器部署在全球加速推進，來自西安與大連的新增產能有助於緩解NAND供應緊張，同時為兩家公司提供優於對手的競爭優勢。

本文僅供參考，不構成投資建議。