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三星電子已成功開發出 900 層 V-NAND 原型，這一技術飛躍可能使其在競爭激烈的全球存儲市場中重新確立主導地位。該公司確認，該原型採用了一種新型鍵合技術，實現了有史以來最高的層數，使三星能夠應對對手的挑戰，並滿足人工智能領域爆炸式增長的需求。
業內消息人士告訴韓國《電子新聞》（ETNews），這一成就向全球客戶展示了三星依然是技術領導者。這一進展至關重要，因為三星正準備量產其層數超過 400 層的第 10 代 V-NAND (V10)，以縮小與目前憑藉 321 層產品領先市場的 SK 海力士之間的差距。
三星的 900 層原型依賴於「細胞多重鍵合」（CMB）技術，該技術將兩個獨立的 450 層電池晶圓鍵合成一個完整的功能單元。這種方法標誌著與行業傳統的單堆棧方法的根本轉變，在單堆棧方法中，晶圓翹曲等物理限制在更高層數時變得非常嚴重。該公司確認，通過新型高精度「上卡盤」設計和專有的「重疊校正」技術確保了完美對準，解決了這些問題。
這一突破正值 NAND 快閃記憶體市場的關鍵時刻。AI 基礎設施的建設正推動對高容量固態硬盤 (SSD) 前所未有的需求，TrendForce 預計僅 2026 年第一季度價格就將飆升 85% 至 90%。三星率先交付更高密度芯片的能力，可能使其在下一代 AI 服務器中贏得豐厚的訂單。
從單堆棧蝕刻到多晶圓鍵合的轉變是 NAND 製造的重大演進。多年來，生產商一直垂直堆疊存儲單元，更高的層數直接意味著每顆芯片擁有更大的存儲容量和更好的能效。然而，在單次操作中通過數百層蝕刻微觀通道會產生應力，從而使硅晶圓物理彎曲，破壞良率。
通過製造兩個更易於處理的 450 層堆疊並進行鍵合，三星為實現 1,000 層 NAND 開闢了一條可行之路，該公司的目標是在 2030 年實現這一目標。公司驗證了 900 層原型中的正常電池操作，確認該技術已具備實際功能，而非僅僅是理論展示。
雖然 900 層原型為三星提供了長期藍圖，但眼前的戰鬥在於第 10 代產品的量產。日本鎧俠已將其 332 層「BiCS10」NAND 列為 2026 財年（2026 年 4 月至 2027 年 3 月）的首要任務。同時，SK 海力士的目標是在 2027 年初全面生產其 300 層以上的芯片。
三星自家的第 10 代 V10 NAND（預計約 430 層）的量產時間表已推遲。據行業消息人士稱，原定於 2025 年，但大規模投資預計至少要到 2026 年上半年。延遲歸因於蝕刻超高層堆疊的嚴峻技術挑戰，以及將其戰略重點轉向 HBM 內存生產，後者為 AI 加速器提供了更高的利潤空間。儘管長江存儲等中國公司正憑藉其近 300 層產品縮小技術差距，這仍為競爭對手創造了機會窗口。
成功的 900 層測試為三星提供了強大的營銷工具和關鍵的技术避險手段。它向市場發出信號：當其對手還在為 300 到 400 層一代而戰時，三星已經開始為下一代之後的產品奠定基礎，從長遠來看，這可能會為競爭對手設置更高的技術壁壘。
本文僅供參考，不構成投資建議。
