SK海力士暫緩HBM4擴產 輝達削減Rubin產量 記憶體股暴跌13%

韓國媒體報導SK海力士因輝達Rubin晶片減產而放緩HBM4擴產，引發全球半導體拋售潮，市值蒸發超過兩千億美元。

SK海力士（SK Hynix Inc.）正在延後其第六代高頻寬記憶體（HBM4）的生產提速，並將資源重新配置至一般DRAM。這項策略轉向導致記憶體股週二暴跌逾13%，韓國KOSPI指數重挫10%並觸發交易暫停。

一位熟悉公司內部討論的人士向韓媒透露：「SK海力士管理層認為，鑑於輝達Rubin晶片的產量預測持續下修，沒有必要急於推進HBM4產線轉換。」

此次拋售範圍廣泛且跌幅猛烈。美光科技（Micron Technology Inc.）下跌13%，威騰電子（Western Digital Corp.）跌8.4%，晟碟（SanDisk Corp.）在美股交易中下跌11%。Roundhill記憶體ETF（DRAM）暴跌14%。韓國KOSPI指數中，記憶體股佔權重約60%，指數下跌逾10%並觸發20分鐘的交易暫停。

此次策略轉向反映記憶體產業經濟學的根本性轉變：一般DRAM的營業利潤率現已領先HBM超過15個百分點。大信證券估計，一般DRAM利潤率今年可能觸及90%高峰。SK海力士決定優先供應DDR5——包括與微軟（Microsoft Corp.）簽訂的三年合約——表明該公司認為商品記憶體市場的短期回報比尖端AI記憶體更具吸引力。

一般DRAM利潤率超越HBM AI需求疑慮升溫

利潤率逆轉正在重塑SK海力士的資本配置。該公司DRAM平均售價已攀升至65%左右區間，摩根士丹利預計DRAM平均售價到2026年將上漲62%，促使該行將SK海力士獲利預測上調56%至63%。高盛認為，SK海力士在2026年前可維持HBM3及HBM3E逾50%的主導市佔率，因此在短期內積極推進HBM4並非當務之急。

然而，放緩步伐也為競爭對手打開了機會窗口。三星電子（Samsung Electronics Co.）自一般DRAM中獲利強勁，預計將於今年下半年開始量產HBM4。Counterpoint Research估計，若三星如期執行，SK海力士的HBM市佔率可能從第四季的57%收窄至50%至60%之間。

Rubin不確定性壓迫AI供應鏈

HBM4的放緩是高階AI基礎設施建設壓力的最新跡象。輝達的下一代Vera Rubin機架系統依賴HBM4記憶體，隨著記憶體價格飆升，成本持續上升，壓縮了超大規模雲端業者的利潤空間。SK海力士消息來源所引用的產量預測下調表明，即使是身為AI支出最大受益者的輝達，也在調整其對下一個產品週期的預期。

Wedbush分析師認為週二的拋售是買入機會，稱企業AI需求依然強勁。Wedbush在報告中表示：「我們不同意AI交易已經過熱的觀點」，並維持對記憶體股的多頭立場。美光將於週三公布第三財季業績，這將為AI記憶體週期是觸頂還是僅為暫歇提供關鍵數據點。

本文僅供參考，不構成投資建議。