SK海力士出貨HBM4E樣品 速率達16Gbps、效率提升20%

SK海力士（SK Hynix Inc.）已向主要客戶出貨12層HBM4E記憶體晶片樣品，將每針腳資料速率推升至16Gbps，同時較前一代高頻寬記憶體降低逾五分之一的功耗。

SK海力士總裁暨首席開發官安鉉（Ahn Hyun）在聲明中表示：「憑藉先進的HBM開發與生產專業知識，公司得以如期交付12層堆疊HBM4E樣品。透過與合作夥伴的緊密協作，我們將提供市場所需的價值，同時強化我們作為全端AI記憶體創造者的技術領導地位。」

12層HBM4E採用先進MR-MUF（批量回流模塑底部填充）製程，在堆疊晶片之間注入液態保護材料，實現每堆疊48GB的容量。與前一代HBM4相比，散熱能力提升17%，使其能在熱管理成為瓶頸的高效能運算環境中穩定運行。該公司表示，該晶片亦透過介面與設計優化，降低了資料傳輸延遲。

HBM晶片是AI加速器中關鍵元件，負責處理訓練與運行大型語言模型所需的大量資料吞吐。SK海力士是輝達（Nvidia Corp.）最主要的HBM供應商，已在HBM3、HBM3E及HBM4世代成功量產。HBM4E樣品出貨之際，競爭對手三星電子（Samsung Electronics Co.）與美光科技（Micron Technology Inc.）正積極爭搶AI記憶體市場——該市場已成為半導體產業成長最迅速的領域之一。

AI記憶體的競爭格局

HBM4E每針腳16Gbps的速率以及較前代提升20%的功耗效率，為SK海力士在下一波AI基礎設施建置中取得了潛在優勢。輝達現行Blackwell架構與即將推出的Rubin架構均依賴高頻寬記憶體向運算核心供給資料——任何延遲或頻寬瓶頸都將直接影響訓練吞吐量與每次代幣的推理成本。SK海力士表示，將與合作夥伴合作，按時準備量產，但並未透露具體時間表或哪些客戶收到樣品。

投資觀點

SK海力士股票在韓國交易所（代號：000660.KS）交易，並已因AI記憶體熱潮而受益——超大規模雲端業者正大舉投資資料中心擴建。該公司如期交付HBM4E樣品的能力，強化其相較於三星與美光的領導地位，後兩者正競相讓次世代HBM產品獲得輝達認證。若SK海力士維持其首要供應商地位，根據業界預估，該公司有望在2027年預計超過300億美元的HBM市場中拿下多數份額。主要風險在於：三星積極進軍HBM4E以及輝達供應商分配策略可能出現的轉變。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。