高塔半導體投資30億美元擴展日本矽光子與矽鍺產能

高塔半導體（Tower Semiconductor）宣布投資30億美元，在日本進行300mm矽光子（SiPho）與矽鍺（SiGe）產能的雙軌擴張，押注光學連接將成為AI資料中心建設的下一個瓶頸，因為對高頻寬互連的需求正超越供給。

「我們正在共同打造一個具備全球差異化的卓越中心，立基於技術領先、製造卓越與卓越的產品品質，」高塔半導體執行長羅素·埃爾萬格（Russell Ellwanger）表示。該公司持有TPSCo（前身為松下半導體製造業務）51%的股權，在日本魚津市與新井市營運晶圓廠。

第一條軌道將新井廠區（原Fab 6）改造為300mm矽光子產能與先進封裝產線，預計於2027年第四季達到全面生產就緒。第二條軌道則在魚津市Fab 7旁新建一座300mm廠房，目標是從2029年開始將矽光子與矽鍺產能提升數倍。高塔半導體已更新其2028年業務模型，營收目標為36億美元，淨利潤12億美元，高於先前的預測。

此次擴張使高塔半導體能夠抓住新興AI與資料中心應用對次世代光學連接的需求——在這個市場中，輝達（Nvidia）、超微（AMD）以及包括亞馬遜（Amazon）和微軟（Microsoft）在內的大型雲端業者已面臨供給緊張。日本經濟產業省（METI）正為這項30億美元的總投資提供10億美元的補助，凸顯東京當局重建國內先進半導體製造的決心。

為何矽光子現在至關重要

矽光子技術利用標準CMOS製程在矽晶圓上生產光學元件，能夠以比傳統銅互連更高的速度和更低的功耗進行資料傳輸。隨著AI集群擴大到數萬個加速器——例如輝達的GB200和B200系統需要在GPU之間建立密集的光學連結——這項技術已從利基專業轉變為關鍵基礎設施層。

高塔半導體的押注反映了更廣泛的行業趨勢。根據Counterpoint Research數據，佔全球晶片製造需求73%的主導晶圓代工廠台積電（TSMC）在2026年單一年的資本支出將達520億至560億美元，其中相當大一部分投入先進封裝。台積電的CoWoS（晶圓上晶片基板封裝）產能從2022年到2027年的年複合成長率超過80%，據報導輝達已鎖定2026年約60%的CoWoS產出。但CoWoS解決的是邏輯晶片與記憶體間的堆疊問題；矽光子處理的是機櫃間與資料中心間的連接挑戰——這是高塔半導體直接針對的另一個瓶頸。

日本優勢與競爭格局

高塔半導體的擴張受益於日本現有的半導體基礎設施與勞動力。該公司自取得松下晶片業務的多數控制權以來，已透過TPSCo在富山縣與新潟縣營運。埃爾萬格表示，新廠將深化與當地大學和研究機構的合作，同時擴大區域供應鏈。

此舉亦將使全球矽光子供應基礎更加多元化。目前，大部分先進光子學產能集中在少數幾家業者手中，包括英特爾（Intel）的整合光子部門與台積電新興的矽光子平台。高塔半導體的加入提供了一個專門的、由政府支持的晶圓代工選項，供設計AI工作負載光學互連的無晶圓廠晶片公司使用。

對投資人而言，時間點至關重要。第一條軌道將在2027年底達到生產就緒，意味著高塔半導體可從下一波AI資料中心建設中獲取營收。第二條軌道則在2029年上線，使該公司為再下一世代做好準備。高塔半導體在那斯達克與特拉維夫證券交易所上市，股票代碼為TSEM。該公司未披露具體客戶承諾，僅表示「擴大客戶參與」及「多世代策略合作夥伴關係」。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。