聯電交付首批矽光子晶圓，AI資料中心需求激增

首批量產矽光子晶圓已從聯電新加坡12吋廠正式出貨，標誌著這項技術從開發階段邁入大量製造——該技術能讓晶片以AI資料中心所需的速度進行通訊。新加坡無晶圓廠公司SILITH Technology與聯電歷經18個月共同開發後，交付了光積體電路（PIC），該平台已獲得一家主要雲端基礎設施客戶認證，準備進行大規模部署。

「這縮小了矽光子創新與AI基礎設施所需量產規模之間的差距，」SILITH技術長Jason Zhang表示。「與聯電攜手，我們將領先的矽光子設計與高產能12吋製造相結合，為下一代AI網路提供所需的效能、擴展性與成本效益。」

該平台採用200G/lane技術，支援1.6T光互連，目前已有超過800萬顆100G/lane與200G/lane PIC累計出貨。SILITH與聯電正將技術藍圖延伸至採用純矽馬赫-曾德調製器的400G/lane方案，保留CMOS相容矽材料的可製造性與成本優勢。聯電也將於2027年推出自有12吋矽光子平台供客戶產品開發使用，並與生態系夥伴合作開發薄膜鈮酸鋰方案，因應未來超高頻寬光互連需求。

此里程碑之所以重要，在於矽光子正成為AI資料中心基礎設施的基礎技術——當前的瓶頸已從運算轉向連接。基於矽光子技術的光互連能以兆位元速度傳輸數據，同時功耗低於傳統銅纜方案，使其成為擴展AI叢集的關鍵。聯電擁有12座晶圓廠，合計月產能超過40萬片晶圓，正將其新加坡廠定位為此新興市場的關鍵製造據點，在光互連領域與台積電的先進封裝能力競爭。

為什麼矽光子對AI基礎設施至關重要

傳統銅纜互連在更高數據傳輸速率下遭遇物理極限——訊號衰減、發熱與功耗均隨速率提升而增加。矽光子透過利用光而非電來在晶片間傳輸數據解決此問題，實現AI叢集所需的1.6T乃至於未來的3.2T連接，讓數千顆GPU能平行運作。該技術也支援共同封裝光學元件，將光學引擎直接置於交換器ASIC旁，降低可插拔收發器的功耗與延遲。

SILITH的方案採用標準CMOS相容矽材料，意味著光積體電路可在現有12吋晶圓生產線上製造，無需專用設備。相較於需要專屬製程的磷化銦或薄膜鈮酸鋰等替代方案，這是成本優勢。聯電的SOI（絕緣層上矽）製造能力已在多座12吋廠獲得驗證，能提供雲端客戶大規模部署所需的良率與可靠性。

競爭格局與投資視角

隨著AI資料中心需求加速，矽光子市場正吸引主要晶圓代工投資。台積電正透過其3DFabric先進封裝藍圖開發自有矽光子平台，而英特爾的整合光子部門已出貨矽光子產品多年。聯電以通過認證的量產平台切入市場，為雲端客戶提供了替代供應來源，可能降低光互連供應鏈中的單一供應商風險。

對聯電而言，矽光子業務代表在其核心成熟製程代工業務之外的新營收來源——該業務正面臨產能過剩的價格壓力。聯電在紐約證券交易所（NYSE）以UMC代碼交易，在台灣證券交易所則以2303交易。SILITH成立於2021年，已獲得主要雲端基礎設施與光網路客戶的設計訂單，驗證其從設計到製造的商業模式。若400G/lane平台成功，可望延續該公司相較於使用更特殊材料開發多晶片光子方案的競爭對手的優勢。

聯電也正在探索用於未來400G/lane及以上應用的薄膜鈮酸鋰調製器，這將結合鈮酸鋰的電光效率與矽製造的擴展性。搭配聯電的先進封裝技術，這些平台可為下一代AI基礎設施中的共同封裝光學與光I/O架構打造光學引擎模組。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。