Edgen Stock·Oct 30 2025, 11:20onsemi (ON) 推出了垂直氮化鎵 (vGaN) 功率半導體，標誌著功率密度、效率和堅固性方面的重大進步。這項技術有望惠及人工智慧資料中心、電動汽車和可再生能源等高能耗應用，可大幅減少能量損耗和物理佔地面積。
2025 年 10 月 30 日，onsemi (ON) 宣布推出其垂直氮化鎵 (vGaN) 功率半導體，標誌著能源密集型應用領域的一項重大技術飛躍。預計這一發展將重新定義各種高增長行業的功率密度、效率和堅固性基準。
onsemi 新推出的 vGaN 功率半導體採用專有的 GaN-on-GaN 技術，允許電流垂直通過化合物半導體。與傳統解決方案相比，這種架構可實現顯著更高的工作電壓和更快的開關頻率。這項技術在 onsemi 位於紐約錫拉庫扎的工廠開發和製造，擁有超過 130 項全球專利的廣泛組合，涵蓋基礎工藝、器件設計、製造和系統創新。
vGaN 設計的核心優勢包括增強的功率密度、卓越的熱穩定性以及在極端條件下的強大性能。該公司報告稱，這項創新可將能量損耗降低近 50%，並能創建尺寸顯著更小、更輕的系統。例如，vGaN 器件比市售的橫向 GaN 組件小約三倍。onsemi 目前正在向早期訪問客戶提供 700V 和 1,200V 器件樣品。
onsemi vGaN 技術的推出是功率半導體市場的一個值得注意的事件，其解決緊迫行業需求的潛力吸引了看漲情緒。vGaN 以更緊湊的尺寸處理更高電壓和更大電流的能力，對於經歷快速擴張和不斷增長的功率需求的行業尤其有吸引力，例如人工智慧資料中心、電動汽車 (EVs)、可再生能源基礎設施以及航空航天、國防和安全。通過實現更快的開關和更高的效率，onsemi 的 vGaN 有望緩解能耗挑戰，並促進在這些關鍵領域更緊湊、高性能的設計。這一技術進步表明 onsemi 正在採取戰略舉措，以在先進功率解決方案領域佔據領先地位。
onsemi 的這一發展正值更廣泛的氮化鎵市場採用率不斷提高之際，GaN 正滲透到更多應用中，並逐步取代矽以提高能源效率。vGaN 技術帶來的能量損耗顯著減少（近 50%）和組件尺寸大幅縮小，為製造商提供了引人注目的價值主張。通過在更高頻率下運行，該技術還允許電容器和電感器等支持組件的小型化，進一步有助於整體系統的緊湊性和成本效率。
onsemi 垂直 GaN 半導體的成功商業化和廣泛採用可以鞏固公司在關鍵增長市場的競爭優勢。隨著全球能源需求在人工智慧進步和電氣化轉型的推動下持續升級，vGaN 等高效、緊湊的電源解決方案將變得越來越關鍵。未來的發展可能側重於 onsemi 能否迅速擴大生產並將這些器件集成到主流應用中，這可能會影響其目標行業下一代電子系統的設計範式和能耗情況。