Edgen Stock·Sep 19 2025, 19:27概要
美光科技股價下跌3.5%，此前三星電子獲得了英偉達對其12層HBM3E記憶體晶片的認證，加劇了高頻寬記憶體市場的競爭，並引發了對HBM定價和美光未來HBM4地位的擔憂。
- 美光科技 (MU) 股價下跌3.5%，此前三星的HBM3E獲得了英偉達的認證。
- 三星獲得了英偉達的認證，其12層HBM3E產品成為AI加速器的關鍵供應商。
- 三星展示了HBM4的速度優勢，據報導其速度超越競爭對手，並對美光滿足未來英偉達的要求構成了挑戰。
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三星獲得英偉達HBM3E認證；美光股價下跌
Edgen Stock·Sep 19 2025, 19:27
市場對三星英偉達HBM3E認證的反應
美光科技 (NASDAQ:MU) 股價週五下跌3.5%，此前該股在本週早些時候創下歷史新高。此次下跌發生之際，三星電子 (SSNLF) 宣布其12層HBM3E記憶體晶片獲得了英偉達 (NASDAQ:NVDA) 的關鍵認證。這一發展改變了高頻寬記憶體 (HBM) 領域的市場動態，HBM是人工智慧 (AI) 加速器的關鍵組成部分。
三星在高頻寬記憶體領域的戰略進展
三星 成功通過了英偉達對其第五代12層HBM3E產品的認證測試，這是之前嘗試之後的一個重要里程碑。儘管三星最初將與SK海力士 (000660.KS) 和美光一起成為英偉達的第三家供應商，但此次認證突顯了三星在先進HBM競爭中的復甦。此外，三星似乎在滿足英偉達對下一代高速記憶體HBM4的未來規格方面建立了優勢。英偉達已將HBM4數據傳輸速度要求設定為每秒10吉比特 (Gbps) 以上。據報導，三星已展示出11 Gbps的速度，超過SK海力士的10 Gbps，而美光 則被指出在達到這些規格方面遇到困難。三星還獲得了AMD 對其HBM3E 12-High晶片的認證，並計劃在短期內向英偉達大量出貨HBM4樣品以進行早期認證。
對HBM市場競爭和定價的影響
三星HBM3E獲得英偉達認證加劇了快速擴張的HBM市場內部的競爭。分析師正在密切關注對HBM定價的潛在影響，特別是如果三星選擇戰略性地對其產品進行折扣以爭取更大的市場份額。富國銀行 分析師Andrew Rocha觀察到，這一發展可能“對HBM定價產生增量負面影響”。Rocha還指出，鑑於美光股價接近170美元，“下週市場對其即將發布的財報抱有很高期望”，強調美光需要確認強勁的供應承諾以保持積極勢頭。
更廣闊的背景：半導體產業動態的轉變
對先進AI應用至關重要的HBM市場正在經歷戰略調整。三星作為英偉達（AI加速器領域的獨主導力量）的重要供應商重新進入市場，表明HBM供應鏈的多元化。此舉也被視為對半導體資本設備供應商有利。摩根大通 分析師Sandeep Deshpande強調了這一點，指出這一發展“對半導體設備廠商來說是一個積極的進展，特別是對歐洲的ASML，因為它將記憶體領導者帶回了先進HBM的競爭中”。Deshpande指出三星可用的潔淨室空間，這可能會有助於快速擴大生產並可能增加對ASML (ASML) 等公司設備的需求。儘管存在競爭壓力，幾位分析師仍對美光持建設性展望。TD Cowen 分析師Krish Sankar將美光目標股價從150美元上調至180美元，維持買入評級，理由是市場勢頭持續。同樣，巴克萊銀行 分析師Tom O'Malley將目標股價從140美元調整至175美元，維持增持評級。
未來HBM世代展望
展望未來，HBM市場，尤其是HBM4的競爭預計將更加激烈。預測顯示，到2026年，HBM供應將大幅增加，這得益於三星電子、SK海力士 和美光 的產能擴張，以及三星和美光的良率提高，以及新參與者的潛在進入。這種預期中的供應激增預計將緩解當前嚴重的短缺，可能導致到2026年HBM3E供應價格同比下降30%。HBM4的價格談判也預計將面臨反映成本上漲的挑戰。分析師預計，在HBM4市場中，SK海力士 可能佔據約50%的市場份額，三星電子 佔30%，美光 佔20%，這反映了日益激烈的競爭格局。市場將密切關注主要參與者即將發布的財報和戰略公告，以獲取對不斷演變的HBM格局的進一步洞察。