英特尔18A-P制程可带来9%的芯片速度提升或18%的功耗降低,为其晶圆代工业务赢得外部客户提供了技术论据。
英特尔18A-P制程可带来9%的芯片速度提升或18%的功耗降低,为其晶圆代工业务赢得外部客户提供了技术论据。

英特尔18A-P制程可带来9%的芯片速度提升或18%的功耗降低,为其晶圆代工业务赢得外部客户提供了技术论据。
英特尔已开始对其18A-P制造工艺进行风险生产,该工艺可在相同功耗下使芯片运行速度提升9%,或降低18%的能耗。该公司正寻求外部客户,以弥补其晶圆代工业务每季度数十亿美元的亏损。
"我们在VLSI研讨会上的更新向英特尔代工的客户和合作伙伴表明,我们完全致力于长期引领前沿工艺创新,"英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran在2026年VLSI研讨会上表示。
18A-P版本引入了Power Boost,这是一种双触点晶体管选项,可在匹配电容下增加驱动电流和频率。通过材料和设计改进,热阻降低了20%至40%,而通孔电阻通过几何和材料优化下降了10%至30%。该工艺与标准英特尔18A完全兼容设计规则,允许直接复用现有知识产权和设计流程。
这一里程碑的到来正值英特尔的晶圆代工业务(上一季度亏损数十亿美元)试图将英伟达50亿美元的投资转化为制造承诺,并推进与苹果的探索性讨论。Counterpoint Research分析师表示,苹果很可能会为其下一代M7处理器测试18A-P,但与台积电的制造良率相匹配将是决定性因素。
英特尔在介绍18A-P细节的同时,还展示了更长远的研究成果,包括45nm栅极间距的单片CFET(互补场效应晶体管)反相器、氮化镓功率器件与硅逻辑的300mm单片集成,以及带有气隙集成的减成钌互连,与铜相比实现了约35%的电容降低。
该公司还分享了基于其全环绕栅极晶体管和背面供电架构的CPU核心的硅片成果——这些技术是英特尔去年随标准18A节点推向市场的。据英特尔院士Eric Karl称,这些核心在低电压(约0.5V)下实现了约30%的频率提升,同时布线面积减少11%,动态电压跌落降低10倍。
谁赢谁输
对英特尔而言,18A-P代表了一个技术证明点,表明其工艺路线图在经历多年延误(导致其失去市场份额和信誉)后正按计划推进。该公司正瞄准主要外部客户,以填满其晶圆厂的产能并分摊前沿制造的巨大固定成本。
对台积电而言,英特尔的进展为寻求芯片生产地域多元化的客户提供了一个可信的替代方案。台积电目前在其3纳米和即将推出的2纳米节点上为苹果、英伟达以及大多数半导体行业公司制造芯片。英特尔的18A-P与台积电的N2工艺直接竞争,不过英特尔尚未披露独立的基准对比数据。
苹果是最具影响力的潜在客户。赢得M7处理器的订单将验证英特尔的晶圆代工战略,并提供一个参考客户案例,从而吸引更多设计订单。但Counterpoint Research警告称,良率——每片晶圆上功能正常的芯片比例——比节点规格更重要。台积电数十年来为满足苹果严苛的质量标准而磨练出的制造一致性,设定了很高的门槛。
投资角度
英特尔股价周三盘前交易上涨3%至120.60美元,收复了前一交易日更广泛科技板块抛售中8.5%跌幅的一部分。该股目前交易价格约为远期盈利的22倍,低于英伟达的35倍和台积电的28倍,反映出市场对英特尔晶圆代工转型的怀疑态度。若18A-P确认赢得苹果设计订单,可能引发股价重估;若未能达到台积电的良率水平,将进一步损害信誉,并可能拖累股价走低。
本文仅供参考,不构成投资建议。