铠侠涨超10%：第十代NAND样品送样，瞄准AI数据中心

铠侠332层NAND芯片位密度提升59%，数据传输速度提高30%，在AI存储市场向三星和SK海力士发起挑战。

铠侠控股株式会社（Kioxia Holdings Corp.）已开始向AI数据中心送样其第十代BiCS FLASH存储器。该芯片采用332层堆叠技术，位密度提升59%，接口速度达4.8 Gb/s，在NAND市场向三星电子株式会社和SK海力士株式会社发起挑战。

"我们并未看到来自数据中心客户的需求有任何减弱迹象，"首席执行官太田裕朗（Hiroo Ota）在一次媒体活动上表示，并补充说铠侠可能会增加资本支出以满足日益增长的AI存储需求。

这款1Tb TLC器件在铠侠位于岩手县北上工厂Fab2制造，采用CMOS直接键合到阵列（CBA）技术，接口速度较第八代产品提升了33%。据公司介绍，写入能效提升18%，读取能效提升30%。量产计划于2027年开始。

随着人工智能从训练阶段转向推理阶段，市场对大容量NAND存储的需求激增，铠侠市值今年已飙升逾七倍，超过25万亿日元（约合1660亿美元），超越丰田汽车株式会社。该公司缺乏高带宽存储器（HBM）产品线——这是其相较于韩国竞争对手的一个战略短板，后者将NAND与HBM捆绑销售——但岩井Cosmo证券分析师斋藤和义估计，铠侠在NAND性能和能效方面拥有两到四年的领先优势。

为何选择332层而非400层以上

铠侠决定将堆叠层数停留在332层——而竞争对手正向400层以上推进——反映了一种刻意的取舍。铠侠存储器业务部总经理井上敦表示，堆叠超过400层会增加功耗，因为读写操作期间会有更多存储层被激活，同时更薄的电池层会降低电荷保持能力。井上表示，与400层以上的替代方案相比，332层设计的每GB成本低约10%，能效高约10%，可靠性高约35%。

第八代产品引入的CBA技术已推动接口速度从3.6 Gb/s提升至4.8 Gb/s，《EE Times Japan》估计，这一优势使铠侠在数据传输性能上较竞争对手领先约一年。

韩国竞争对手扩大产能

在铠侠推进技术升级的同时，SK海力士和三星正着手扩大NAND产能。SK海力士于7月2日宣布，计划在清州投资100万亿韩元（约合615亿美元）建设新园区，其中80万亿韩元将用于M17 NAND制造工厂。首席执行官郭鲁正表示，NAND需求正快速增长，而供应依然紧张，建设工程将于明年启动，目标在2029年上半年投入运营。

据《The Bell》4月报道，三星也计划在其平泽P5园区新建一条NAND生产线，洁净室预计将于明年完工。全球前三大NAND制造商同步扩产引发了市场对潜在供应过剩和价格压力的担忧——这一因素在此次最新公告之前曾令铠侠股价承压。

据Omdia分析师南川明称，铠侠在数据中心NAND市场的份额约为10%，而三星约为40%，SK海力士为30%。但南川明指出，铠侠的芯片数据处理速度快于竞争对手，而美国超大规模数据中心运营商将这一指标置于所有其他因素之上。"第十代芯片在这一领域实现了重大突破，"他说，"极具竞争力。"

铠侠股价盘中一度下跌12%，随后逆转走势，最终收涨逾10%，反映出产品里程碑和太田对需求前景的表态均提振市场信心。该股今年以来累计涨幅已超过680%。公司正考虑拆股，并计划在2027年4月开始的财年早期在美国交易所上市美国存托凭证（ADR），以扩大投资者基础。SK海力士也在推进美国上市，目标融资高达294亿美元。亚洲半导体企业正纷纷利用更深厚的资本市场为AI驱动的扩张提供资金。

本文仅供参考，不构成投资建议。