存储芯片股暴跌8%~10%：纳斯达克回调冲击半导体板块

存储芯片股周三领跌半导体板块，纳斯达克在2026年下半年开盘走低，美光科技下跌8%，闪迪暴跌10%，西部数据下跌7%。

美光科技股价早盘下跌8%至1061.44美元，闪迪大跌10%至2051.10美元，西部数据下跌7%至595.81美元。持有这三家公司以及国际厂商三星、SK海力士和铠侠的Roundhill Memory ETF也走低。纳斯达克100指数在盘中早段下跌1%，此前截至6月30日该指数年内已累计上涨20%。

"DRAM价格在四年间上涨700%的幅度，正迫使大型买家重新考虑其内存架构，"Citrini Research周三在一份报告中表示，并警告超大规模云服务商和英伟达服务器合作伙伴可能会采用内存压缩技术，从而降低需求。上周加州提起的一项集体诉讼加剧了市场压力，该诉讼指控三星、SK海力士和美光非法协调限制DRAM供应并抬高价格。这些公司尚未就该诉讼发表评论。

此次抛售标志着该板块出现剧烈逆转，此前该板块经历了半导体史上最为非凡的上半年行情之一。美光截至周二年内累计上涨305%，闪迪飙升858%，西部数据上涨271%。这些涨幅建立在一个由人工智能对高带宽内存需求推动的内存超级周期之上，美光公布的第三财季营收达415亿美元，同比增长346%，并预计当前季度营收为500亿美元。毛利率从去年同期的37.7%扩大至84.6%。

回调背后的驱动因素

周三的下跌并无单一催化剂。多重因素同时作用：机构在经历了上半年惊人涨势后于下半年开始之际进行仓位再平衡，美联储转向鹰派立场，以及资金更广泛地从涨幅已高的科技股轮动出来。克利夫兰联储主席贝丝·哈马克暗示美国可能需要更高的利率，而新任美联储主席凯文·沃什在葡萄牙欧洲央行政策论坛上发表讲话时，也未释放任何鸽派安抚信号。

宏观逆风对半导体板块造成了广泛冲击，超威半导体和晶圆制造设备厂商同样下跌。存储芯片股遭受的打击最为严重，原因在于其年内涨幅极度过高，以及两个存储芯片特有的利空因素：DRAM诉讼和Citrini的需求预警。

看涨逻辑依然成立

一个交易日的回调并不能打破存储芯片股的长期叙事。美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉表示，供应将持续紧张"直至2026年以后"，该公司计划在制造和研发方面投资约两千亿美元，包括在爱达荷州博伊西和纽约州锡拉丘兹新建晶圆厂。HBM4正在为英伟达的Vera Rubin平台量产，美光已签署其首个五年期战略客户协议。

在覆盖美光的44位分析师中，39位给予买入或强烈买入评级，共识目标价为1410.45美元——意味着较周三水平仍有约33%的上涨空间。该股目前较6月25日创下的1255美元历史高点下跌了15%。

对于投资者而言，在经历了4倍涨幅之后，风险回报格局已经发生变化。美光的 trailing市盈率反映了周期顶峰的利润率水平。根据24/7 Wall St.的模型，看空情境——周期性内存低迷、超大规模客户效率提升以及在2026财年超过250亿美元的爆炸性资本支出——预示着该股可能下跌36%至737.55美元。接下来的催化剂是本周晚些时候公布的6月就业报告，以及闪迪和西部数据的第四财季业绩。

本文仅供参考，不构成投资建议。