美光科技的高带宽内存芯片全年已售罄,表明人工智能基础设施需求正压过半导体行业的供应能力。
美光科技的高带宽内存芯片全年已售罄,表明人工智能基础设施需求正压过半导体行业的供应能力。

美光科技的高带宽内存芯片全年已售罄,表明人工智能基础设施需求正压过半导体行业的供应能力。
美光科技(纳斯达克代码:MU)已成为人工智能基础设施建设浪潮中最大的受益者之一,股价今年迄今飙升233%,过去12个月累计上涨918%。这家内存芯片制造商的高带宽内存(HBM)——英伟达公司人工智能加速器中的关键组件——2026年产能已全部被合同锁定,这使得该公司能够提价并扩大利润率,其速度在周期性半导体行业中实属罕见。
"内存交易依然活跃,"坎托·菲茨杰拉德分析师C.J. Muse表示,他将美光的目标价上调至1500美元,并预测内存芯片供应紧张将持续到2028年。富国银行在美光最新财报发布后也上调了目标价。
在2026财年第二季度,美光报告营收为239亿美元,同比增长195%,环比增长76%。其云内存业务的毛利率达到74%,而去年同期为55%;数据中心毛利率达到74%,高于上年同期的47%。该公司预计本季度营收为335亿美元——环比增长40%——毛利率扩大至81%,每股收益为18.90美元,高于上一季度的12.07美元。
该股于6月3日触及1079美元,随后一场由博通公司财报及强于预期的美国就业报告(削弱了降息理由)引发的广泛半导体抛售,使其下跌约12%至874美元。此后该股已反弹至约947美元。即便经历了回调,美光的远期市盈率仍仅为10倍,这一水平上一次出现是在2025年8月,当时股价为每股119美元。其五年市盈增长率(PEG)比率为0.37,这一水平通常与价值被低估的股票相关。
为何HBM成为瓶颈
高带宽内存将DRAM芯片垂直堆叠,以传统内存无法企及的速度向人工智能处理器传输数据。随着英伟达、超威半导体公司以及越来越多的定制芯片设计商争夺HBM供应,美光——连同韩国的SK海力士公司和三星电子公司——几乎控制了所有可用产能。
英伟达已确认美光将为其Vera Rubin人工智能芯片架构供应HBM,这一设计订单锁定了下一个产品周期的需求。与英伟达的合作,加上黄仁勋最近的亚洲之行与SK海力士及其他韩国科技公司达成了多年期协议,进一步强化了内存供应将持续紧张的观点。黄仁勋表示,行业仍处于"人工智能革命的初期"。
估值背离还是新常态?
该股10倍的远期市盈率按传统标准衡量处于价值区间,但该公司营收却以三位数速度增长。这种背离反映了市场对美光能否维持这一增长轨迹的持续怀疑——而这一问题的答案取决于超大规模云提供商在人工智能资本支出上的可持续性。
美光的市值已膨胀至1.1万亿美元,跻身美国最大半导体公司之列。坎托·菲茨杰拉德给出的1500美元目标价意味着较当前水平约有58%的上行空间,其依据是内存供应紧张将持续到2028年。该公司HBM供应已通过长期合同锁定,提供了周期性内存行业鲜少向投资者提供的营收可见性。
对投资者而言,核心问题是当前估值是否已充分反映了HBM的繁荣,还是仍有进一步上涨的空间。鉴于PEG比率低于1,且远期市盈率此前曾预示反弹——该股在远期市盈率上次触及这些水平后的五个月内上涨了135%——数据表明,市场尚未完全消化人工智能内存周期的持续时间。
本文仅供信息参考,不构成投资建议。