安森美推出GaNEXUS氮化镓功率产品组合，瞄准90亿美元功率芯片市场

安森美全新GaNEXUS氮化镓功率产品组合可将磁性元件尺寸缩小多达60%，功率密度提升至传统硅方案的两倍，目标锁定分析师预计到2030年将超过90亿美元的氮化镓芯片市场。

"GaNEXUS正在为电源系统设计开启全新架构，"安森美氮化镓部门副总裁Antoine Jalabert表示。"随着客户要求在更小空间内实现更大功率，它为工程师提供了更大的灵活性，以克服限制传统功率架构的瓶颈。"

初始产品阵容包括覆盖40伏至650伏的GaNEXUS FET，以及集成保护功能以简化系统集成的GaNEXUS Smart 650V器件。在AI服务器48伏中间总线转换器和电池备用单元等低压及中压系统中，该产品组合可实现磁性元件尺寸缩小30%至60%，功率密度提升1.5倍至2倍，效率根据拓扑结构提升0.5%至2%。对于AI电源架和功率因数校正级等高压应用，安森美声称可减少多达60%的磁性元件，效率提升0.5%至1%，这些改进在数据中心规模下意义重大。

此次发布正值AI数据中心预计到2030年将消耗美国高达9%的发电量之际，据安森美引用的行业估计，电力和冷却成本占数据中心总运营支出的比例高达40%。在一个100兆瓦的设施中，每提升一个百分点的效率，每年就可节省约100万美元的电费，这使得氮化镓的开关速度优势在超大规模场景下具有显著经济意义。

GaNEXUS器件采用热增强型封装，具有行业标准封装尺寸——TOLL底部冷却、TOLT顶部冷却以及双冷却3.3毫米×3.3毫米和5毫米×6毫米选项——以支持双源采购。当与安森美的Treo平台（用于集成传感、控制和电源管理）搭配使用时，该产品组合可实现完整的系统级电源解决方案，降低设计复杂性并加快认证周期。

竞争格局升温

安森美进入了一个已挤满成熟玩家的氮化镓市场。氮化镓功率IC行业领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）于6月8日宣布推出其用于1200伏至3300伏碳化硅MOSFET的UHV-TO-247-4-ISO封装，目标锁定并网电源转换和电池储能应用。纳微声称，其新封装可在分立器件形式下实现模块级性能，同时无需外部高压隔离。

英飞凌科技（Infineon Technologies）和德州仪器（Texas Instruments）也在氮化镓领域投入重金，英飞凌的CoolGaN产品组合覆盖了类似的电压范围。竞争压力延伸至代工层面：为多家芯片公司制造氮化硅晶圆的台积电（TSMC），随着数据中心和汽车客户需求加速增长，已扩大了其氮化镓工艺产品供应。

研究机构正进一步推动该技术的发展。弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（Fraunhofer IAF）近期展示了一款用于800伏双向直流充电系统的氮化镓功率模块，在8.3升、5.7公斤的离车充电器中实现了3千瓦功率。这个名为GaN4EmoBiL的项目凸显了氮化镓在电动汽车充电基础设施中的潜力，在该领域，效率和紧凑性直接影响采用成本。

投资角度

安森美股价目前约为远期市盈率的22倍，低于费城半导体指数28倍的平均水平，反映出投资者对其汽车和工业终端市场风险的谨慎态度。GaNEXUS的发布使安森美的收入来源多元化，进入增长更快的AI数据中心电源传输领域，该公司已凭借其EliteSiC碳化硅产品组合在此领域展开竞争。若到2030年GaNEXUS能在预计90亿美元的氮化镓功率市场中占据5%的份额，则将带来约4.5亿美元的增量收入——相当于安森美过去十二个月销售额的约4%。该公司未披露GaNEXUS的定价或首批客户。

本文仅供信息参考，不构成投资建议。