关键要点：
三星电子已成功开发出 900 层 V-NAND 原型，这一技术飞跃可能使其在竞争激烈的全球存储市场中重新确立主导地位。该公司确认，该原型采用了一种新型键合技术，实现了有史以来最高的层数，使三星能够应对对手的挑战，并满足人工智能领域爆炸式增长的需求。
业内消息人士告诉韩国《电子新闻》（ETNews），这一成就向全球客户展示了三星依然是技术领导者。这一进展至关重要，因为三星正准备量产其层数超过 400 层的第 10 代 V-NAND (V10)，以缩小与目前凭借 321 层产品领先市场的 SK 海力士之间的差距。
三星的 900 层原型依赖于“细胞多重键合”（CMB）技术，该技术将两个独立的 450 层电池晶圆键合成一个完整的功能单元。这种方法标志着与行业传统的单堆栈方法的根本转变，在单堆栈方法中，晶圆翘曲等物理限制在更高层数时变得非常严重。该公司确认，通过新型高精度“上卡盘”设计和专有的“重叠校正”技术确保了完美对准，解决了这些问题。
这一突破正值 NAND 闪存市场的关键时刻。AI 基础设施的建设正推动对高容量固态硬盘 (SSD) 前所未有的需求，TrendForce 预计仅 2026 年第一季度价格就将飙升 85% 至 90%。三星率先交付更高密度芯片的能力，可能使其在下一代 AI 服务器中赢得丰厚的订单。
从单堆栈蚀刻到多晶圆键合的转变是 NAND 制造的重大演进。多年来，生产商一直垂直堆叠存储单元，更高的层数直接意味着每颗芯片拥有更大的存储容量和更好的能效。然而，在单次操作中通过数百层蚀刻微观通道会产生应力，从而使硅晶圆物理弯曲，破坏良率。
通过制造两个更易于处理的 450 层堆栈并进行键合，三星为实现 1,000 层 NAND 开辟了一条可行之路，该公司的目标是在 2030 年实现这一目标。公司验证了 900 层原型中的正常电池操作，确认该技术已具备实际功能，而非仅仅是理论展示。
虽然 900 层原型为三星提供了长期蓝图，但眼前的战斗在于第 10 代产品的量产。日本铠侠已将其 332 层“BiCS10”NAND 列为 2026 财年（2026 年 4 月至 2027 年 3 月）的首要任务。与此同时，SK 海力士的目标是在 2027 年初全面生产其 300 层以上的芯片。
三星自家的第 10 代 V10 NAND（预计约 430 层）的量产时间表已推迟。据行业消息人士称，原定于 2025 年，但大规模投资预计至少要到 2026 年上半年。延迟归因于蚀刻超高层堆栈的严峻技术挑战，以及将其战略重点转向 HBM 内存生产，后者为 AI 加速器提供了更高的利润空间。尽管长江存储等中国公司正凭借其近 300 层产品缩小技术差距，但这仍为竞争对手创造了机会窗口。
成功的 900 层测试为三星提供了强大的营销工具和关键的技术避险手段。它向市场发出信号：当其对手还在为 300 到 400 层一代而战时，三星已经开始为下一代之后的产品奠定基础，从长远来看，这可能会为竞争对手设置更高的技术壁垒。
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