SK海力士暂缓HBM4扩产，因英伟达Rubin减产拖累内存股暴跌13%

韩国媒体一则关于SK海力士因英伟达Rubin减产而放缓HBM4扩产的报道，引发了全球半导体抛售潮，市值蒸发逾两千亿美元。

SK海力士正推迟其第六代高带宽内存（HBM4）的产能爬坡，并将资源重新分配至通用DRAM。这一战略转向导致内存股周二暴跌逾13%，并拖累韩国KOSPI指数重挫10%，触发熔断。

"SK海力士管理层认为，鉴于英伟达Rubin芯片的产量预测不断下调，加快HBM4产线转换并无紧迫性，"一位熟悉公司内部讨论的人士向韩国媒体透露，并要求匿名。

此次抛售范围广、跌幅深。美光科技下跌13%，西部数据跌8.4%，闪迪在美股交易中下挫11%。Roundhill内存ETF（DRAM）暴跌14%。在韩国KOSPI指数中，内存股占比约60%，该指数跌幅超过10%，触发20分钟熔断。

这一转向反映出内存经济学的根本性变化：通用DRAM的运营利润率现已超越HBM超过15个百分点。大信证券估计，通用DRAM利润率今年可能达到90%的峰值。SK海力士决定优先供应DDR5——包括与微软签订的一份三年期合同——表明该公司认为通用内存市场的近期回报优于前沿AI内存。

通用DRAM利润率反超HBM，AI需求疑虑升温

利润率的逆转正在重塑SK海力士的资本配置。该公司DRAM平均售价已攀升至60%中段区间。摩根士丹利预计DRAM ASP到2026年将上涨62%，因此将该行对SK海力士的盈利预测上调56%至63%。高盛认为，SK海力士到2026年可维持其HBM3和HBM3E市场50%以上的主导份额，这使得短期内激进推进HBM4的必要性降低。

但这一放缓也为竞争对手打开了窗口。三星电子凭借通用DRAM已获得强劲利润，预计将于今年下半年开始HBM4的量产。Counterpoint Research估计，若三星按计划推进，SK海力士的HBM市场份额可能从第四季度的57%收窄至50%至60%。

Rubin不确定性施压AI供应链

HBM4的后撤是高端AI基础设施建设承压的最新迹象。英伟达下一代依赖HBM4内存的Vera Rubin机架系统，正面临内存价格飙升带来的成本上升压力，挤压超大规模数据中心运营商的利润空间。SK海力士消息人士提到的产量预测下调表明，即便是AI支出的最大受益者英伟达，也在调整对下一个产品周期的预期。

Wedbush分析师将周二的抛售视为买入机会，认为企业AI需求依然强劲。"我们不同意AI交易已经过热的观点，"Wedbush在一份报告中表示，并维持对内存股的看涨立场。美光定于周三发布第三财季业绩，这份报告将成为判断AI内存周期是见顶还是暂时停顿的下一个重要数据点。

本文仅供信息参考，不构成投资建议。