SK海力士推出HBM4E样品：速度达16Gbps，能效提升20%

SK海力士已向主要客户交付12层HBM4E内存芯片样品，其每引脚数据传输速度达到16Gbps，同时功耗较上一代高带宽内存降低逾五分之一。

"得益于公司在HBM开发与生产方面的先进专长，我们如期交付了12层堆叠的HBM4E样品，"SK海力士社长兼首席开发官安炫在一份声明中表示。"通过与合作伙伴的紧密协作，我们将交付市场所需的价\u503c，同时巩固我们作为全栈AI内存创造者的技术领先地位。"

12层HBM4E采用先进MR-MUF（批量回流模塑底部填充）技术，在堆叠芯片之间注入液态保护材料，从而实现每堆栈48GB的容量。与上一代HBM4相比，公司将该芯片的散热性能提升了17%，使其能够在热管理成为瓶颈的高性能计算环境中稳定运行。据公司介绍，该芯片还通过接口和设计优化降低了数据传输延迟。

HBM芯片是AI加速器中的关键组件，负责处理训练和运行大语言模型所需的巨大数据吞吐量。SK海力士是英伟达的主要HBM供应商，已成功在HBM3、HBM3E和HBM4各代产品中实现量产。HBM4E样品推出之际，竞争对手三星电子和美光科技正竞相争夺AI内存市场的份额，该市场已成为半导体行业中增长最快的领域之一。

AI内存领域的竞争格局

HBM4E每引脚16Gbps的速度以及相较前代产品20%的能效提升，使SK海力士在下一波AI基础设施建设中占据潜在优势。英伟达当前的Blackwell架构以及即将推出的Rubin架构均依赖高带宽内存为计算核心输送数据——任何延迟或带宽瓶颈都将直接影响训练吞吐量和单次推理成本。SK海力士表示将与合作伙伴协力，及时做好量产准备，但未披露具体时间表或该样品交付了哪些客户。

投资视角

SK海力士在韩国交易所的股票（代码：000660.KS）受益于AI内存热潮，因各大超大规模云服务商正大举投资数据中心扩张。公司如期交付HBM4E样品的能力，巩固了其相对于三星和美光的领导地位，这两家厂商均在竞相争取下一代HBM产品获得英伟达认证。若SK海力士保持其主供应商的领先地位，据行业预测，其有望在预计2027年超过300亿美元的HBM市场中占据大部分份额。关键风险在于：三星对HBM4E的积极布局以及英伟达供应链分配策略可能出现的调整。

本文仅供参考，不构成投资建议。