Edgen Stock·Oct 30 2025, 11:20onsemi (ON) 推出了垂直氮化镓 (vGaN) 功率半导体，标志着功率密度、效率和坚固性方面的重大进步。这项技术有望惠及人工智能数据中心、电动汽车和可再生能源等高能耗应用，可大幅减少能量损耗和物理占地面积。
2025 年 10 月 30 日，onsemi (ON) 宣布推出其垂直氮化镓 (vGaN) 功率半导体，标志着能源密集型应用领域的一项重大技术飞跃。预计这一发展将重新定义各种高增长行业的功率密度、效率和坚固性基准。
onsemi 新推出的 vGaN 功率半导体采用专有的 GaN-on-GaN 技术，允许电流垂直通过化合物半导体。与传统解决方案相比，这种架构可实现显著更高的工作电压和更快的开关频率。这项技术在 onsemi 位于纽约锡拉库扎的工厂开发和制造，拥有超过 130 项全球专利的广泛组合，涵盖基础工艺、器件设计、制造和系统创新。
vGaN 设计的核心优势包括增强的功率密度、卓越的热稳定性以及在极端条件下的强大性能。该公司报告称，这项创新可将能量损耗降低近 50%，并能创建尺寸显著更小、更轻的系统。例如，vGaN 器件比市售的横向 GaN 组件小约三倍。onsemi 目前正在向早期访问客户提供 700V 和 1,200V 器件样品。
onsemi vGaN 技术的推出是功率半导体市场的一个值得注意的事件，其解决紧迫行业需求的潜力吸引了看涨情绪。vGaN 以更紧凑的尺寸处理更高电压和更大电流的能力，对于经历快速扩张和不断增长的功率需求的行业尤其有吸引力，例如人工智能数据中心、电动汽车 (EVs)、可再生能源基础设施以及航空航天、国防和安全。通过实现更快的开关和更高的效率，onsemi 的 vGaN 有望缓解能耗挑战，并促进在这些关键领域更紧凑、高性能的设计。这一技术进步表明 onsemi 正在采取战略举措，以在先进功率解决方案领域占据领先地位。
onsemi 的这一发展正值更广泛的氮化镓市场采用率不断提高之际，GaN 正渗透到更多应用中，并逐步取代硅以提高能源效率。vGaN 技术带来的能量损耗显著减少（近 50%）和组件尺寸大幅缩小，为制造商提供了引人注目的价值主张。通过在更高频率下运行，该技术还允许电容器和电感器等支持组件的小型化，进一步有助于整体系统的紧凑性和成本效率。
onsemi 垂直 GaN 半导体的成功商业化和广泛采用可以巩固公司在关键增长市场的竞争优势。随着全球能源需求在人工智能进步和电气化转型的推动下持续升级，vGaN 等高效、紧凑的电源解决方案将变得越来越关键。未来的发展可能侧重于 onsemi 能否迅速扩大生产并将这些器件集成到主流应用中，这可能会影响其目标行业下一代电子系统的设计范式和能耗情况。